展芯芯片分析实验室   FIB性能参数

型号：FEI DualBeam 820.  FIB/SEM（离子束/电子束）双束机台

大陆地区第一台投入商业服务的Dual-Beam双束机台

最精准分辨率高达7nm

可同时提供FIB聚焦离子束切割修改与SEM电子束影像观察

微线路切割，卤素气体辅助蚀刻

纵向切割 Cross-Section

深层微沉积，沉积金属物为白金/钨

VC (Voltage Contrast) 电位对比测试，判断连接线(metal, poly, contact, via)之open/ short

微线路修改最高制程可达0.13um

支持8英寸wafer

  FIB 主要应用范围
微线路修改（Microcircuit Modification）
可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势.
测试键生长（Test Pad/Probing Pad Building）
在复杂线路中任意位置镀出测试键, 工程师可进一步使用探针台(Probe station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号.
纵向解剖 Cross-section
SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备.
VC电势对比测试（Voltage Contrast）

用不同电势金属受离子束/电子束照射后二次电子产量不同致使其影像形成对比的原理，判断metal, poly, contact, via之open/short

 
  FIB 原 理

静电透镜聚焦的高能量镓离子, 经高压电场加速后撞击试片表面, 在特定气体协作下产生图像并移除或沉淀(连接) 物质, 其解析度为亚微米级别. 离子束实体喷溅加以卤素气体协作, 可完成移除表面物质 (纵向解剖/开挖护层、切断金属线), 离子束喷溅与有机气体协作则可完成导体沉积 (金属线连接、测试键生长).