【动手做个移动电源】

8  BQ2057简介（1）——基本功能（画原理图ing……）

很久没有更新了，除了其他事情比较忙之外，最主要是开始画原理图才发现，之前以为的周期很快，等实践时因为工具不太熟悉（从来没用过这个画原理图，所有的东西要重头建，不像AD或者Mentro都有长期积累的东西），再加上相关的器件选型以及对应的封装建库等，发现周期还比较长，无奈跳票。无法按照之前说的年前出来东西了，非常抱歉，原理图整好后就发出来并做一个简单的介绍。这一节还是针对之前提到的那个充电方案做一个讲解……

在中途方案描述里面有说到过，本来最早想选BQ2416x系列的充电芯片的，那个芯片的方案广泛应用，而且不管是技术、效率还是充电时间来说，都算是业界主流 。但是对DIY的业余爱好者来说，这种新器件比较难买而且价格较为昂贵~所以，在评估了这些因素之后，还是选用了现在已经非常成熟的以个BQ2057器件的方案。在好买的同时保证器件/方案的品质，当然我本身也没用过这颗料，所以，大家一起学习。

Step 1 找器件资料

首先，我们登录TI的官网看一下这个器件的相关描述：

说明就很清晰了，BQ2057是到4.1V的充电IC，子型号BQ2057C才是对应4.2V，其余两个都是用于双节串联电池的。所以，我们选择BQ2057C的型号器件，点击进入。Down下BQ2057C的Datasheet打开。

Step 2 初步熟悉器件功能

在这个器件资料中，该器件有多种封装（功能一致，pin排列不一致，可能某几个封装是为了pin2pin其他老产品或者竞品吧！），我们选择如下封装器件（前几天像TI申请到的样片里有这种封装器件）BQ2057CDGK

从器件封装图可以清楚发现该器件为8Pin，pin name及其功能分别如下：

VCC：输入电压，有效范围-0.3~18V；

TS：温度检测输入管脚；

STAT：充电状态输出管脚，能指示3种充电状态——充电完成、温度异常、睡眠模式；

VSS：GND；

CC：充电控制管脚，实际就是外部晶体管（PNP三极管或者P-MOS FET，常用P-MOS管）；

COMP：充电速率补偿输入，设置充电速率补偿等级，电压标准输出能够程序可控去改变电池充电电流；

SNS：电流采样，通过电池充电通路上的采样电阻采样电流，采样电阻可放在电池的V+通路或者V-通路（V+通路和V-通路对应High-Side电流采样和Low-Side电流采样，两种方式电路不一致）；

BAT：电压采样，电池端的电压采样管脚；

参考设计如下，实际上，可以认为我们采用的是Q1作为LDO器件的压降管，2057这个芯片，通过检测BAT的电压，来调整LDO的输出，比如VBAT电压为3.5V，充电时实际上这个管脚LDO输出会直接到3.5+x的电压似的有充电电流从DC+到Vbat，而这个通路上的电流时会被RSNS这个采样电阻体现压差，从而控制芯片就清楚当前的一个充电电流而通过调整Q1来调整输出电压达到稳定充电电流的目的。

如下这个0.5A的参考设计应该是我们重点要关注的，MOS管的性能会优于PNP，当然成本也会更高一些，好了，着重针对这个电路来做一个分析

如上，芯片+MOS就认为是一个LDO，我们需要考虑的是MOS管的选型，怎样能让充电电流做的更大，和CPU的接口如何处理~这个在下一节一起学习一下吧~~

就剩这块的原理图还在画了，目前就抽空把这个也说一下，倒时直接上图布线。

PS：发现邮箱中较多网友的问题，没有立即回复非常抱歉，因为平时用公司的邮箱比较多，个人邮箱没想到有这么多邮件~~后续会关注，多谢大家支持~