移动计算已经引发了各大半导体公司的重大战略转变。随着上网本市场份额的不断扩大,ARM和其他单核处理器继续遵循着摩尔定律,在性能上不断攀升,而Intel则与台积电(TSMC)合作开发基于Atom的片上系统(SoC)。从存储器领域的观点出发,这暗示着单核处理器越来越趋向于在制造成本上展开竞争,因此也越趋于商品化。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />
在从桌面计算转向移动计算中的这种竞争模式的转变,会对各种存储器技术的价值主张产生怎样的冲击呢?
对于DRAM和NAND的影响是十分明显的。移动计算注重于数据存储的非易失性和低功耗。许多大幅增产的NAND都被支持移动计算的固态硬盘等应用所消耗。
我们认为这种趋向于移动应用的转变同时也改变了逻辑电路和存储器之间的价值比率。单核处理器在运行具有少于桌面PC,或笔记本电脑系统特征集合的操作系统上展开竞争。但是,在各种应用中对存储器部件的性能要求是一致的。
既然用户已经决定以牺牲少量性能为代价换取更高的便携性,存储器技术就开始更多地规定原始设备供应商(OEM)之间竞争激烈的价值主张了。例如,嵌入式高速缓存的大小就在很大程度上影响系统性能。性能参数以及外部易失性和非易失性存储器技术的比率,也同样影响着用户的体验。
我们认为会出现第二波存储器技术,并且同样最终会被这些移动应用所采纳吸收。
在近年来出现的几种存储器技术与CMOS逻辑电路工艺更好的兼容性是一个被人们忽视的特点。在意法半导体(ST)与Intel就相变存储器项目开展合作并成立Numonyx之前,Intel支持相变存储器的关键点之一,就在于其相对来说便于融入Intel的制造流程。其他的厂商同时也暗示,阻变或离子迁移存储器技术与标准的CMOS逻辑电路工艺有着同等的高兼容性。飞思卡尔(Freescale)则专注于在汽车控制器应用中嵌入磁性RAM。
这种非常令人满意的特质的决定因素,在于这些新兴的存储器技术是基于存储单元中可逆的物理变化,而不同于现今产品中使用的电荷存储技术。
这些在移动应用中兴起的存储器技术的终极影响,在于它使得“存储器工艺”与“逻辑电路工艺”的差别开始变得模糊。当芯片加工厂的逻辑电路产品与存储器产品的大量原料能够更好地共享时,成本效率就得到了提升。
制造原料的共享在<?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />450mm晶圆的背景下变得越发重要。450mm晶圆的三大倡导者是Intel,三星(Samsung)和台积电(TSMC),他们坚信产量的提升将会证明这一倡议对于制造效率的提升。
许多其他的半导体公司并未对于这整套巨大的新型制造设备表现出很大的热情。我们认为,降低存储器与逻辑电路工艺的之间的制造障碍,应该从拓展简单的制造设备的潜在兼容性工艺着手,促进人们接受这种大幅提高制造效率的新方法。
从上网本到用450mm晶圆制造存储器和逻辑电路晶片的跨越,究竟是理性的选择还是盲目的跃进呢?
用户128507 2009-10-22 14:12