原创 存储器的模式被打破了？何种模式？

存储器的模式被打破了？何种模式？

近期的闪存大会上出现了一些关于NAND模式已经被打破的讨论。我最初的反应是这种表述没有弄清楚情况。存储器技术仍然专注于每bit成本以及新特性，并且系统设计工程师们仍然致力于在每次存储器性能的提升中寻找巧妙的方法来榨取更低的成本，以及更好的系统级性能。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

改变计算的体系结构以充分利用存储器技术的某种性能属性的模式也同样正在运行之中。这种模式已经在此次闪存大会上由Fusion I/O、Schooner，以及加州大学圣迭戈分校证实并显著地表现出来。

然而在经过更进一步地思考后，我发现自己是赞同传统的存储器模式已经被打破这一观点的。人们长期公认的占主导地位的存储器模式（以动态随机存取存储器DRAM为例），早已被建立在生产符合同一工业标准的狭窄类别产品基础之上。

基于生产效率的竞争并不是偶然产生的。在计算机主机的原始设备供应商（OEM）是DRAM的主要用户，并且非常热衷于参与技术规范的制订的时期，我曾出席过JEDEC存储器委员会的会议。

一些年轻的日本DRAM厂商提出只要逻辑电路能够尽可能地从中脱离，就能得到非常高效的DRAM生产设备。标准委员会的老牌成员们已经对这个提议进行了投票表决。

毫无疑问，这种模式肯定被证明是正确的，并且我们仍然处于由每次生产效率的提高而带来的生产力过剩这一可预料的循环过程的掌控之中。

利用专注于生产狭窄类别的产品，而获取的150至200亿美元的薄利润收益流来企图支持高利润的逻辑体系结构的模式仍然具有推动力么？

我认为这种模式必然要被打破。随着对移动性、低功耗和低发热量的要求放到与每bit成本对等的位置，无论对于从最初的大型机，到最近发展起来的桌面PC机，大量单应用的吸引力已经被大大地削弱了。美光（Micron）半导体近期在其网站上列出了约700个DRAM的零件编号——甚至在考虑他们与合作伙伴Intel公司的NAND业务合作之前。无论是DDR、DDR2，还是DDR3，都有超过100种的构造，从而使得人们想知道究竟什么才是“标准型DRAM”的规格。

NAND作为众多存储器厂商的技术强心剂而出现如同混沌理论中的分岔图，一般代表了存储器技术的初始划分。NAND技术本身的发展至今已经划分出了每单元包括单bit，双bit和三bit等几种类型，以针对不同的应用。

接下来会出现什么呢？有传言称是标准型DRAM的浮体技术。IBM在本周的Hot Chip大会上展示了带有片上嵌入式硅绝缘（SOI）DRAM缓存的Power 7处理器。此外，在近期的闪存大会上在这一新兴存储技术领域中至少有6家厂商公布了他们的重要进展。硅通孔技术和存储器单元的三维堆叠都是越来越富有竞争力的技术。

我赞同随着新体系结构和新目标应用吸引力的增强，传统存储器模式正在被重新构建。在我看来，存储器工业的新颂词应该是：“注意！创新优先！”

您的想法是怎样的呢？是否预见到存储器模式的改变？赶快发表您的评论吧！