最近做24位AD,模拟供电部分用TI的LDO--TPS76333,发现设备拿到现场去之后AD采集的噪音很大,和在家里测试的结果有天壤之别,所以在现场玩命地在检测回路上想各种方法抑制干扰,后来用泰克TDS1012示波器看了一下发现干扰更多是从电源进来的,检测通道上并不大,解决了好几天,最后发现LDO输出端的电容换了之后就好多了,至此问题还是距离原来家里实验的20位最好精度还有距离1.5位的水平,且怎么也提不上来,索性用手里一只LP2950类的LDO把TPS76333给换了下来,精度居然回到了20位。
几天下来,似乎想明白了一些问题:
1、LDO类芯片输出端的胆电容的等效内阻影响很大。
2、高精度检测时对于噪音的理解是否可以这样认为,双极技术的LDO本身在噪音 方面要远远低于MOS类的LDO,很“安静”。
3、从另一角度应该理解为MOS对于电平噪音抑制能力看来不敌双极技术,MOS是电平动作;而双极技术则是电流动作,其构建环境相对苛刻,恰恰是个好处。
这些没准是我这个小学生天真的想法,还待论证。
用户1638688 2013-1-28 14:50
用户1378619 2013-1-19 17:18
用户1577134 2011-8-16 16:10
用户1164881 2010-11-6 12:46
zhangyongchao-com_364176560 2010-10-26 18:10
用户1277994 2010-10-26 16:06
用户1170203 2010-10-26 12:42
用户1284231 2010-10-25 07:32
用户1327305 2010-10-22 08:51
这个是肯定的,无论是在速度还是在噪声方便,BJT比MOS,都是不可比拟的优势,但也因为他是电流型的控制器件,功耗始终不能和MOS比。所以在给一些对噪声很敏感的器件供电的时候器件的选择还是非常重要的。