原创 参加PCIM Asia 2012研讨会，了解飞兆半导体的工业电源创新解决方案

飞兆半导体公司将与来自工业界和学术界的专家一起，于2012年6月19-21日在上海世博展览馆举办的PCIM Asia (电力转换与智能运动)展会上，阐释工业电源应用技术的最新发展及未来趋势。

在6月 20日下午1:00的研讨会上，飞兆半导体将有以下的技术文章演示：

工业电源

• “三电平逆变器应用的IGBT驱动优化” 作者：单士臣(Daniel Shan)

第1节：IGBT基础和驱动器要求。第2节：IGBT驱动电路简介，重点是IGBT驱动光耦，如FOD3120、FOD8316等。第3节：三电平逆变器，在本节中，将讨论三电平逆变器原理和过流条件下驱动电路的问题，提供一个解决这个问题的解决方案来。第4节：结论。

•  “用于高效率和薄型电源系统的新一代PQFN88超级结MOSFET’ 作者：孙东国(Dongkook Son)

超级结技术能够显著减少高压功率MOSFET的导通电阻和寄生电容，避免折衷权衡。超级结MOSFET具有更小的寄生电容，能够实现极快速的开关特性，因而减小开关损耗。不过这一特点同时会为器件带来应力，包括电压和电流尖峰，以及更大的dv/dt 和 di/dt 。新一代采用PQFN88封装的超级结MOSFET，SuperFET® II 器件得益于优化的设计和先进封装技术，能够提供更快的开关和更低的开关噪声，实现更高效率和更薄型的应用。

PCIM Asia展会获得业界广泛认可为中国电力电子和相关应用领域最重要的信息和网络平台。

飞兆半导体：解决方案助您成功！