C.TP 测算(热电偶测量 TP)
由于结到 PCB的热阻较小,PCB 层 P 的温度 TP是一个类似 TJ 的值。当 TP与测试结果中的真实 TJ(如图5所示)比较,测得的 TP值接近真实的 TJ。
[图5]温度测量图
在获取数据的过程中,我们发现图 6 和图 7 所示的附着位置对于减少 TJ与 TP之间的差异非常重要。通过最大程度地减少热电偶和器件之间的缝隙,您可以最大程度地减少 TJ与 TP之间的差异。
[图6]用于减少TJ与 TP测量之间差异的好坏附着示例
[图7]合理放置热电偶能够大幅减少TC_TOP 与 TP 之间的差异
D.VTS 测算(由 VTS 检测高压 IC THVIC 的结温)
TSU 模拟的电压输出VTS反映了 SPM 7 系列模块中 HVIC 的温度。下式显示 VTS电压与 V 相 HVIC 温度之间的关系。可表述为:
VTS = 0.019 x THVIC + 0.2 [V] |
甚至当按照图6和7合理放置热电偶时,TJ与THVIC之间的差异会根据负载电流逐渐增大。根据实验判断,可通过计算 HVIC 温度来估计 MOSFET 结温。但是,系统条件(如热损耗)可以改变曲线。因此,有必要根据设定的应用条件进行资料记录。
[图8] TJ与 THVIC
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