本次预实现的是双斜积分ADC,为了获得较高的工频抑制特性,积分时间选为200mS,计数频率为1MHz,这样算下来实现的分辨率为200000字,也就是五位半分辨率。
电路架构组成有:负压基准发生器,模拟开关,积分器,斜率放大器,过零比较器。
负压基准发生器:由AD587 10V电压基准产生-10V基准。
模拟开关:实现输入信号的积分,负向基准的反积分,积分电容的清零。
积分器:可10V输入的积分器,积分饱和电压在13V。
斜率放大器:该放大器的设置是为了抑制后面的过零比较器在不同输入下的压摆变化的。
过零比较器:负责监控反向积分时间的结束。
整个积分过程状态分布:积分清零态,信号积分态,负向基准反积分态。
MCU采用STC89C52,使用6M晶振,6T模式。
MCU内部外设规划:T1用于波特率发生,T0用于积分清零和信号积分的定时控制,T2用于反积分的计时,EX0用于监控反向积分的结束。
时间规划:积分清零 10mS,信号积分200mS,反向积分最大200mS,大约可实现2.4SPS。
测试同样是一节电池,连续测试了2hour,噪声约2LSB,测试看图:
满不在乎 2016-1-25 16:35
谢谢分享,学习了
marshallemon_264790597 2016-1-22 11:25
caiziyingtianxia1985_564124490 2016-1-22 11:16
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