一、任何时刻开关管上所承受的电压都要低于它所能够承受
的最大电压,并且要有足够的安全裕量;
以此为出发点,就确定了变压器的变化;
Ucemax = Uinmax + N·Uo + Upk + Uy
式中:Ucemax-开关管所能承受的最大电压
N-变比初级匝数Np / 次级匝数Ns
Uin-直流输入电压最大值
Uo-输出电压
Upk-漏感所产生的电压
Uy-电压裕量
此式很重要一点,就是确定了变比N,变比一确定一系列
问题就确定下来;比如:
反射电压:VoR = N·Vo;
占空比: D = VoR /( Vin +VoR);
导通时间: Ton = D·T
变比一定要选择合适,以使电路达到优化;若使用双极型
晶体管对其基电极的控制很重要,因为它影响着Vcemax的
大小:Vces>Vcer>Vceo;在ce间承受最高电压时最好保证
be结短接或者反偏,此时晶体管就可承受较高的反偏电压.
二、任何时刻都应保证磁芯不饱和;
由于反激式开关变压器的特殊性,磁芯饱和问题在反激式
变换器的设计中尤为重要。一旦磁芯饱和,开关管瞬间就
会损坏。为防止磁芯饱和反激式开关变压器磁芯一般都留
气隙,显著扩大磁场强度的范围,但仅靠气隙并不能完全
解决磁芯饱和的问题,由磁感应定律很容易得出:
由(1)式知:
磁感应强度与输入电压和导通时间有关。在输入 电压一
定时,由反馈电路保证Ton的合适值。
在工作过程中,根据磁饱和的形式分两种情况:
一种是:一次性饱和:
当反馈环路突然失控时,在一个周期内导通一直 持续,
直到过大的Ip使磁芯饱和而使开关管立即 损坏;
另一种是:逐次积累式饱和:
磁芯每个周期都有置位与复位动作,反激式开关 电源磁
芯置位是由初级绕组来实现,磁芯复位是由 次级绕组和
输出电路来实现。当电路等设计不当时, 每次磁芯不能
完全复位,一次次的积累,在若干周期内磁芯饱和。就像
吹气不一样,一口气吹破就相当磁芯一次性饱和;每吹一
次,就排气,但每次排气量都比进气量少一点,这样循环
几次后,气球就会被撑破的;若每次充排气量相同,气球
就不会破的,磁芯也是如此,如下图:
磁芯从a→b→c为置位,从c→d→a为复位,每个周期都要
回到a,磁芯就不会饱和。对于反激式开关电源的断续模
式,磁芯复位一般是不成问题的。
三、始终保持变换器工作于一个模式如CCM或DCM;不要在两
个模式之间转换,这两种模式不同,对反馈回路的调节
电路要求也不同,在考虑某一种模式而设计的调节电路,
如运行到另一模式时易引起不稳定或者性能下降。
四、保证最小导通时间不接近双极性开关管的存储时间;(
MOSFET管例外)
在设计反激式开关电源时,特别在开关电源 频率较高
、直流输入电压最高,负载又较轻 时,开关导通时间
Ton最小,若这个时间接近或小于双极性晶体管的存储时
间(0.5μs~1.0μs)时,极易造成开关管失控,而使磁
芯饱和。此时就要重新审视开关频率的选择,或能否工作
于如此高电压或者通过调节占空比来适应。或者选用其
他电路拓扑。
五、不要将变换器的重要元件的参数选得接近分布参数;具
体来说,电阻不要太大,电容器和电感器不要太小。
(1)许多反激式开关电源都有一个振荡频率,由IC芯片提供
,如UC3842,由RC决定,当把R选择太大,C太小时,就
易使稳定性特别差;如电容C小得接近分布参数,也就是
说 取掉该电容由线路板及其它元件间的分布参数而形成
的容值都和所选的电容容值差不多;或者所选电阻太大以
至于线路板上的漏电流所等效的阻值都和所选的电阻大小
差不多;这将 造成工作不稳定,如温度或湿度变化时其
分布参数也跟着变 化,严重影响振荡的稳定性。R一般
不要大于1M欧,C一般不 要小于22PF。
(2)反激式开关电源的输出功率如下式:(DCM)
注意:由于笔误,应为:U2=U*U,D2=D*D
由(2)式可知:
在电流断续模式时,当电压和频率固定的情况下,输出功
率和变压器的初级电感成反比。即要增加功率就要减小初
级绕组的电感量。反激式开关变压器的特殊性:当开关管
导通时变压器相当于仅有初级绕组的一个带磁芯的电感器
,当这个电感器小到一定值时就不可太小了,当小至和分
布电感值差不多时,这样变压器的参数就没有一致性,工
作稳定性差,可能分布参数的变化都会使整个电感值变化
一少半,电路的可靠性就无从谈起。初级电感值至少应是
分布电感的10倍以上。
(3)同样道理,磁芯的气隙也不可选的太少,太小的话,磁
芯稍微的变动(如热胀冷缩)对气隙来说都显得占的比例
很大,这样的变压器就无一致性可言,更无法批量生产。
六、反激式变换器的输出滤波电容比起其它拓扑形式的电路
所受的冲击更大,它的选择好坏对整个电源的性能及寿命
有举足轻重的作用。选择时,一般是按纹波电压要求初
选电容值,用电容的额定纹波电流确定电容值,这样比
较安全稳妥。当然,耐压值和温度等级也要足够。
七、降低损耗,遏制温升,提高效率,延长寿命
开关电源内部的损耗主要分四个方面:
(1)开关损耗 如:功率开关,驱动;
(2)导通损耗 如:输出整流器,电解电容中电阻损耗;
(3)附加损耗 如:控制IC,反馈电路,启动电路,驱动电
路;
(4)电阻损耗 如:预加负载等;
在反激式开关电源中,功率开关和驱动以及输出整流部
分占损耗的90%多,磁性元件占5%,其它占5%; 损耗
直接影响效率,更影响电源的稳定性和工作寿命。损耗
都以发热而表现出来,晶体管和电容和磁性元件都对温
度很敏感;下面看一下温度的影响:
(1)温度每升高10℃,电解电容的寿命就会减半
(2)在高温和反向电压接近额定值时,肖特基二极管的漏电
很严重,就像阴阳极通路一样;
(3)通用磁性材料,从25℃到100℃饱和磁感应强度下降30%
左右;在这里,磁性材料的损耗虽然说占比例很小但是它
对整个开关电源的影响非常大。比如在正常工作时,设计
的最大磁通密度偏大,由于温升的原因将使饱和磁感应强
度下降,再加上反馈回路的延迟效应而使导通时间加长,
极易使磁芯饱和,瞬间开关管损坏。在此设计时,最好保
证铜耗接近于磁耗,初级绕组的铜耗接近于次级绕组的铜
耗以达到最优化的设计防止磁芯过渡温升。
(4)MOSFET管,每升高25℃,栅极阀值电压下降5%;MOSFET
管的最大节点温度时150℃,节点温度的理想值为105℃,
最高不要超过125℃;MOSFET管,Rds随温度的升高而增大.
(5)双极型晶体管,随温度的升高,Vce而减小,在环境温度
较高或接近最高结温时,晶体管的实际最高耐压会有所下
降,并且漏电流会更进一步增加,很易造成热损耗。所以
,在设计时,尽可能降低元件本身损耗而造成的温升,也
要注意远离热源,不因外界原因而造成温升。更要优化设
计减小损耗,提高效率,延长元器件及整个电源的工作寿
命。
反激式开关电源设计的思考五
-常用公式的理解
在反激式开关电源设计之前,我们必须对要用到的公式有所了解,这样不
至于造成不管公式适用条件如何,拿来就用,以致看似合理实则差之远矣。
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