上一节讲到，米勒振荡是因为强的负反馈引起的开关振荡，导致二次导通，对于后级大功率半桥、全桥等H桥拓扑结构应用中，容易导致上下管子瞬间导通从而炸毁管子，这个是开关电源设计中最核心的一环，所以如何避免米勒振荡可以认为是开关电源设计的核心关键。
A、减缓驱动强度
2、在MOS管GS之间并联瓷片电容，一般容量在1nF~10nF附近。看实际需求。
调节电阻电容值，提高电阻和电容，降低充放电时间，减缓开关的边沿速度，这个方式特别适合于硬开关电路，消除硬开关引起的振荡。
B、加强关闭能力
1、差异化充放电速度，采用二极管加速放电速度
C、增加DS电容
在ZVS软开关电路中，比如UC3875移相电路中，MOS管DS之间，往往并联无感CBB小电容，一般容量在10nF以内，不能太大，有利于米勒振荡，注意该电容的发热量，频率更高的时候，需要用云母电容
D、提高漏极电感方式
相对应方案C的提高DS电容方式，该方案则采用提高漏极的电感方式
1、在漏极串联镍锌磁珠，提高漏极电感，减缓漏极的电流变化，降低米勒振荡，这个方案也是改善EMC的方法之一，效果比较明显，但该方案不适合高频率强电流的场合，否则该磁珠就发热太高而失效。
2、PCB布线时，人为的引入布线电感，增长MOS管漏极、源极的PCB布线长度，比如方案C的图中，适当提高半桥上下MOS管之间的引线，对改善米勒振荡有很大的影响，但这个需要自身的技术水平较高，否则容易失败，此外布线长度提高，需要相应的考虑MOS管的耐压，严重的，需要加MOS管吸收电路。
E、常用的MOS管吸收电路，利于保护MOS管因关闭时产生过高的电压导致DS击穿，对米勒振荡也有帮助，电路形式多样，以下列举四种，应用场合不同，采用不同的方式。
A、减缓驱动强度
2、在MOS管GS之间并联瓷片电容，一般容量在1nF~10nF附近。看实际需求。
调节电阻电容值，提高电阻和电容，降低充放电时间，减缓开关的边沿速度，这个方式特别适合于硬开关电路，消除硬开关引起的振荡。
B、加强关闭能力
1、差异化充放电速度，采用二极管加速放电速度
C、增加DS电容
在ZVS软开关电路中，比如UC3875移相电路中，MOS管DS之间，往往并联无感CBB小电容，一般容量在10nF以内，不能太大，有利于米勒振荡，注意该电容的发热量，频率更高的时候，需要用云母电容
D、提高漏极电感方式
相对应方案C的提高DS电容方式，该方案则采用提高漏极的电感方式
1、在漏极串联镍锌磁珠，提高漏极电感，减缓漏极的电流变化，降低米勒振荡，这个方案也是改善EMC的方法之一，效果比较明显，但该方案不适合高频率强电流的场合，否则该磁珠就发热太高而失效。
2、PCB布线时，人为的引入布线电感，增长MOS管漏极、源极的PCB布线长度，比如方案C的图中，适当提高半桥上下MOS管之间的引线，对改善米勒振荡有很大的影响，但这个需要自身的技术水平较高，否则容易失败，此外布线长度提高，需要相应的考虑MOS管的耐压，严重的，需要加MOS管吸收电路。
E、常用的MOS管吸收电路，利于保护MOS管因关闭时产生过高的电压导致DS击穿，对米勒振荡也有帮助，电路形式多样，以下列举四种，应用场合不同，采用不同的方式。
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