驱动MOS的时候，有一对矛盾：如果考虑开关损耗，在导通和关闭的时候越快越好，但是这样会有上冲，导致震荡，导致EMI增大。这就需要考虑一个平衡点。
按照之前的理解，下面的MOS结构体中，有以下的重要参数需要特别考虑：
首先是Rg，之前的设计中没有重点考虑这个，这个决定了是否会产生震荡，EMI，主要做Lg产生的震荡电流的一个消耗。
Lg，主要是布线的时候需要注意，宽一点的线路，可以让Lg更小，减小波形震荡。
另外一个是C1，栅极提供的电流主要就是为了充电，充满过程中，MOS慢慢打开，也就是说，这个电容决定了充电的速度。当然就决定了MOS的发热。其他的参数嘛，考虑的不多。
但是实际上，忽略了一个很重要的东西，就是C3，输入电容应该是CISS=CGS+CGD，CGS这个好理解，而CGD这个会产生什么样的效果呢？
上图的GGD就是米勒电荷。其实QGS这个区域，因为漏极电压不变，MOS没有导通，所以不会造成太大的发热，而GQD这个时候，栅极电荷积聚，但是VGS没有增高，但是漏极开始导通，导致发热。
如果能够提供最理想的电流，最理想的驱动波形应该是这样的：
第一阶段快速上升到门限电压
第二阶段缓慢上升，这样可以使得漏极电流值不会上升太快。
第三阶段，就需要快速上升，使漏极电压快速下降，以减小发热的产生。
第四阶段，这样就不会有震荡的产生。
通过上面的分析可以看出，QGD是一个比较大，并且影响发热的主要参数，在设计的时候需要特别考虑到。
以IRF540N为例，其电荷参数如下：
这里，还需要重点理解一下米勒效应：
在导通过程中，栅极同时开始对CGD和CGS充电，然后漏极开始导通，导通过程中，VDS下降，导致CGD开始放电，所以需要继续补充电荷，所以这个过程中VGS没有变化。
上升的时候是这样，在关闭的时候，因为VDS瞬间上升，会通过CGD向CGS充电，会导致二次导通，烧坏MOS管！！！
所以需要提供一个快速放电的回路，通常有并联快速二极管，或者在GS并联一个大电阻来解决。
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