原创 【经验分享】三极管的问题几则

2015-9-10 15:52 442 4 4 分类: 模拟

这里的问题是这样的,一个控制口给三个PNP的管子的基极供电,失效的时候是一个管子不能进入饱和区,由于每个管子的VBE和HFE的初始值不相同,且随着温度变化相差更大,由此引发的问题是三个管子不能正确的偏置,VBE比较低的管子的偏置电阻的电流最大,其余的两个管子的偏置电流就显得小。

Ib如果太小了,假定Ic一定的话

否中情况出现H=Ic/Ib,在温度低的情况下,很容进入放大区,导致Vce太大,逻辑就可能会出现问题。

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因此即使一个NPN可以用来偏置几个PNP的管子,每个管子要有独立的基极电阻,这样可实现存在Vbe差别的情况下,通过电阻实现一定的均流,确保电流的独立。

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即使控制端也不能随便将多个管子连在一起,这点是我们要注意的。

注意模块间接口使用的问题

如果设计的时候,使用了ULN2003,由于直接用它的输入级接入模块的输入端,因此出现了问题。

由于电缆上存在分布电感和分布电容,因此很容易出现耦合,在ISO7637的实验中,存在高频脉冲250V,200ns

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我们必须加入限流电阻,并且与RB和分压,或者加入其他抗瞬态的器件,这样的设计是非常耗成本的,因此一般可以采用分立的器件。

最好不用用晶体管的基极直接面对输入,这回造成很大的隐患。

另外一个错误很常见,就是直接把晶体管的基极接至MCU的输出管脚上面,前面已经验算过MCU的输出能力:单片机IO口的驱动能力

这很明显的造成了晶体管Ib过大,引起过大的损耗。

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因此如果遇到分立的晶体管,注意验证它的基极,是否直接接MCU,是否内部含有限流电阻(Build-in),否则很可能造成过热和损坏。

这里顺便说明一下,三极管由于有热击穿效应,所以建议把余量放大些,60%~75%,否则很有可能造成损坏。

转自畅学电子网。

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