原创 在MDK开发环境STM32RAM调试

         STM32的FLASH最佳擦写次数是10000次，超过此数后，继续擦写一百万次也没问题，只是擦写速度会变慢。所以在内存中调试没有太大意义，但是了解其中的设置过程对我们学习STM32有裨益。完成如下几步可成功调试：

（1）Target中设置IROM1:0x2000000    0x4000；IRAM1：0x20004000 0x1000；含义是代码段从RAM地址0x2000000开始，长度16K，内存段从RAM地址0x20004000开始，长度1K。

（2）在Debug中，FLASH下载器的代码段和内存段都设置为上面的划分。

（3）DEBUG中初始化文件指向一个ram.ini,该文件的内容为：

FUNC void Setup (void)
{
  SP = _RDWORD(0x20000000);           // Setup Stack Pointer

  PC = _RDWORD(0x20000004);           // Setup Program Counter

  _WDWORD(0xE000ED08, 0x20000000);    // Setup Vector Table Offset Register

}

LOAD .\Obj\USART.axf INCREMENTAL     // Download

Setup();                             // Setup for Running

g, main  

（4）设置起始文件（.s）在asm栏定义RAM_MODE  和 REMAP。