原创 PCB电镀非晶态镍钨合金工艺研究

2011-11-22 16:17 901 12 12 分类: MCU/ 嵌入式

PCB电镀非晶态镍钨合金工艺研究

    摘 要:研究了PCB电镀非晶态镍钨合金工艺,采用EDS,XRD等手段检测了镍钨合金镀层,并将工艺条件如电流密度J。、镀液pH值、镀液温度等对镀层的影响进行了比较,得出非晶态镍钨合金PCB电镀的最佳工艺:[W]/([W]+ [Ni])为0.6-0.8, J}= 6.0一12.0A /dm2,温度55一659 C,pH=6.5-7.5。 结果表明,W含量质量分数高于44%的镍钨合金镀层结构为非晶态;且在此工艺下易得到钨含
量在44%以上的非晶态钨合金镀层。

    关键词:非晶态镍钨合金;PCB电镀;工艺优化

    PCB电镀非晶态合金具有很多优异性能,如:高机械强度、强耐蚀性、超导性、耐放射性和催化特性等,已引起人们的极大关注〔’一’〕。镍钨非晶态合金是电沉积制备非晶态合金的典型,对其研究主要集中于他在材料防护方面的应用。但有关激光束聚变(ICF)靶用Ni一W合金镀层的研究至今少有报道,因此如何实现Ni一W合金薄膜在ICF靶中的应用仍需作进一步研究。本工作主要通过对镀层组成、结构的测定分析,并将工艺条件如电流密度、镀液pH值、镀液温度等因素对镀层的影响进行比较,最后确定了PCB电镀非晶态镍钨合金的最佳工艺。

      1 试验

      1.1 试验方法

    在三电极体系(工作电极为紫铜片,辅助电极为铂片,参比电极为饱和甘汞电极)中,使用直流极化测试系统(TD73000)控制TD3691恒电位仪进行控电位沉积,基体为Icmxlcm的紫铜片,PCB电镀前用紫外光固化树脂(自制)屏蔽基体的一侧,再进行电解抛光和盐酸浸蚀处理。镀液组成及工艺条件为:16一50扩L钨酸钠,5一35扩L硫酸镍,60一120梦L柠檬酸钠,0.05一1.00留L十二烷基硫酸钠,温度25一75℃,阴极电流密度2一20 A/dm2,PH二5一9,中速搅拌.

     1.2测试方法 

   镀层组成用Finder一1000量分析,镀层结构用Philips X能谱采集系统进行定’pert MPD X射线衍射仪分析测定,X射线衍射仪采用Cu靶,A二0. 154 2 nm,管电压50 kV,管电流35 mA,狭缝系统为IODS一loss一0.2 mm RS,扫描速度2(o)/min.

文章评论0条评论)

登录后参与讨论
我要评论
0
12
关闭 站长推荐上一条 /2 下一条