1、外加正向电压作用下pn节有利于传输多子扩散,反相电压加强pn节耗尽层厚度,少子漂移加大
在外加正向电压的作用下,BE之PN节由发射极扩散过来的电子浓度很高,促使电子像浓度低的地方扩散,BC节由于反向偏置利于少子漂移,所以基区少子电子很容易漂移到C区,形成集电极电流Ic,有一部分电子和基区的空穴符合形成基区电流Ibn
IB=IEP+IEN-(ICN+ICBO)
2、BJT的三种连接方式
3、BJT输入特性曲线
4、BJT输出特性曲线
VCE对Ic的影响主要是由于基区调制效应引起,Vce增大,基区有效宽度减小,基区复合电子减小,IC略有增加
5、饱和区
Vce《=Vbe,集电极收集电子能力减弱,Ic和Ib的关系不在符合放大关系,此时CE管压降成为饱和压降CES,小功率管可以认为VCB=0时为临界区边界
截至区指发射极和集电极均反向偏置,IE=0,IB=-ICBO,工程上把IB=0的那条曲线以下的区域称为截至区
6、共基特性曲线
共基连接是一个理想恒流源
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论