原创 CMOS半导体制程技术

2010-12-31 22:07 999 1 1 分类: 工程师职场
该元件的制造得益于CMOS半导体制程技术的最新进展。WiSpry公司正使用一种无晶圆制程模式,在可大量生產的主流8吋RF CMOS晶圆上,以单晶片整合可编程数位化电容器技术,因而免除了传统高性能MEMS技术上因尺寸和成本带来的困扰。

  该制程流程还包含晶圆级封装,让代工厂提供的晶圆成品可在传统的自动化后端处理过程(如凸点制作、薄化、切片、封装和测试)中直接使用,而使得高可靠性的终端產品制造可藉由传统RF半导体制程来实现。


<img style="LETTER-SPACING: normal" alt=个别旁路或串列元件整合为电容值单元 src="http://pagesadmin.ednchina.com/images/Article/897621ea-2613-4fff-9ee0-c6d6f34218eb/3.gif" ,接着形成可包含任一独立单元组合的阵列,最终形成了具有良好电器特性的数位化电容器 />



图2:个别旁路或串列元件整合为电容值单元,接着形成可包含任一独立单元组合的阵列,最终形成了具有良好电器特性的数位化电容器;其电容值比(最大/最小)超过10且Q值在1GHz时超过200以上。

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