个别的电容器元件以具有数位可变气隙的微小平行排列电容整合在晶片上。个别旁路或串列元件整合为电容值单元,接着形成可包含任一独立单元组合的阵列,最终形成了具有良好电器特性的数位化电容器;其电容值比(最大/最小)超过10且Q值在1GHz时超过200以上。
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