良好的版图画法能够提高良率<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />
A:
1.多晶硅,金属条,块之间的间距只要有可能就画得比最小间距宽。
2.尽可能多打金属接触孔
3.有源区间距尽可能放宽
4.方块上不要出现slit或小间隙这种画法
5.接触孔,通孔间隔拉开
6.接触孔与通孔距离金属边缘有一段距离
7.避免使用有角度的图形,要么采用阶梯步进形成有一定角度的图形。如果一定要有角度的画法,尽量取135度
8.宽金属层互连的地方打上slit,便于电流流过
B
1.大尺寸器件匹配更好(除非特别大的器件,匹配度降低)
2.将匹配器件尽量靠近,因为匹配度随距离增加而降低
3.采用对称结构提高匹配度(由于工艺梯度的存在,镜像对称并不能减小失配)
4.了解因片上温度变化导致的失调
5.通过放置尽可能多的接触孔和通孔来减小通孔电阻
6.使用冗余电容提高电容匹配度,大电容采用共中心画法
7.采用冗余电阻提高电阻匹配度,成对电阻的版图要求同一方向和同一宽度
8.采用共中心画法提高管子匹配度,要求管子方向相同,电流方向相同。源漏端寄生电容会影响匹配,,附近若有源区,源漏端寄生电容会受影响
9.最小化天线效应,提高管子匹配
10.尽可能地拉开金属间距
用户384472 2007-6-15 11:57
金属条宽与走的电流值之间也有瞬态的关系的,比如直流情况下1um的metal走1mA的电流,交流情况下可能可以走4~5mA的瞬态电流。
根据平均情况选金属条宽相对面积小一些,但也要考虑瞬态时能不能满足建立时间和稳定时间的要求。太窄了必然是会限制瞬间流过的电流。如果平均电流的4~5倍值能大过顺态,就可以按照平均电流来画,如果不够就需要加宽金属。
推测的,不知道说的有没有道理。没有做过功率电路
用户1047578 2007-6-14 19:47