原创 你所不知道的芯干线GaN HEMT（一）

我是南京芯干线科技大家庭的GaN HEMT，被半导体从业兄弟姐妹亲切的称为第三代半导体中的佼佼者。

我有很多的兄弟姐妹，XG6508B8是我大哥，据说可以转换2KW的高频电源模块，当然了，需要全桥LLC搭把手相助。XG6515A5是我小弟，只能拉动150W的小型电源，当然了，他也是我们兄弟姐妹中的贫困户。我呢，是最抢手的XG6510B8,联手全桥LLC上可以够着1.5KW，弯腰向下一个人可以捡起150W PFC，当然了，这里也少不了我的SIC二极管堂兄XD6504的协助。兄弟们都称赞我为多面手。

除此以外，我还有很多的兄弟姐妹在我妈妈的怀中孕育。

我是业界新秀，我堂兄XD6504D与我小弟XG6515B8参与了某大厂适配器的配套，我大哥XG6508B8以15*25*300的傲人身材勇拿某LED户外屏大厂的电源市场。我小弟XG6515B8也由于优良的散热性能也在某植物照明大厂发挥着光和热。除此以外，我亦可以在POE电源、PLC电源等工业电源市场呈现出不俗的表现。凡是有1KW直流电源的地方，我逐渐打开了自己的一片天地。

我为什么那么优秀，因为我来自于多为经验丰富的归国博士和一群优秀工程师的巧夺天工。我为什么表现那么好，那需要从我的优良性能说起。

首先，我GaN HEMT，是硅MOS功率器件的部分替代品。具有更高的带隙，因此可以在不影响导通电阻的情况下支持击穿电压的大幅增加。

其次，我的临界电场强度高于硅，给予我导通电阻和击穿电压之间的优越关系。这使得在同等参数下身材可以做得更小巧，我们是高电子迁移率晶体管（HEMT），随着行业的发展，我在PD电源行业已经崭露头角，虽然我的实力还不如其他世家子弟（例如Navitas/GaNsystem）表现的那么优秀，但是我在工业电源市场和PD快充市场逐渐站稳的脚跟。

再者说，我可以提供比硅和SiC器件更高的电子迁移速率。高迁移率源于二维电子气在组分材料之间的界面处形成的方式。这里的载流子比硅等材料更自由地移动。因此，我更适合用于高频开关电路，并可以提供更高的效率，同时减小我周围电感、电容的参数。此外，我还能够在高温条件下工作对硅器件有挑战性。 我的高温操作可以减少硅基电力能源转换设备可能需要的散热器和冷却风扇的尺寸，从而可以进一步缩小电力电子设备的体积和重量的同时大幅度的延长设备的寿命，超出简单移动的范围更高频率的交换架构。

我很优秀，但是我也不是完美无缺，设计工程师在应用我进行设计产品时需要牢记如下因素：我需要相对较低的驱动电压和相对较小的驱动电流，否则很容易对我造成致命的伤害，在这方面，我家族中的兄弟姐妹的栅极驱动电平不应超过典型GaN器件的6 V最大额定值（我的家庭兄弟姐妹都是6V驱动的，务必请牢牢记住。），以避免对我的结构造成潜在损坏。很显然，类似于SI器件可以利用驱动变压器做驱动设计的方式在我这里完全行不通。

我很优秀，我本人XG6510B8是DFN88封装，Rdson为100mR,在25度的恒定环境温度（25度半导体恒温散热器）条件下，我可以稳定的工作在8A很多年不出现任何身体职能方面的损伤。因为这个负荷是可以发挥我最优性能的负荷。

我很优秀，我的兄弟姐妹（大哥XG6505B8和二哥XG6508B8,小弟XG6515B8和小妹XG6515A5）也不差，我们都可以持续的在1.5MHz的高频下持续工作很多年仍然可以充满活力。

      我很优秀，我们家有独一无二的优势功能，如果想进一步了解，请阅读后续文章。我会持续更新哟！