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ASE60N30-ASEMI工业自动化专用ASE60N30
型号:ASE60N30
品牌:ASEMI
封装:TO-247
最大漏源电流:60A
漏源击穿电压:300V
批号:最新
RDS(ON)Max:38mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
封装尺寸:如图
特性:MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~175℃
ASE60N30 MOS管采用先进的沟槽栅工艺技术,将导通电阻(RDS(on))降至1.8mΩ以下。在60A大电流场景下,其导通损耗较传统MOS管减少30%以上,显著降低系统发热,提升整体能效。无论是高频开关电源还是大功率电机驱动,都能实现“低温高效”运行。
超快响应,精准控制每一焦耳能量
得益于优化的栅极电荷(Qg)设计,ASE60N30的开关速度提升至纳秒级,搭配低至20nC的总栅极电荷量,可轻松应对100kHz以上的高频应用场景。工程师可精准控制电能传输节奏,为数字电源、无线充电等前沿技术提供硬件基石。
坚固耐用,无惧严苛环境
全封装工艺加持下,ASE60N30的雪崩耐量(EAS)高达300mJ,支持-55℃至175℃的宽温域工作,并通过工业级抗静电(ESD)认证。面对电压浪涌、高温高湿等复杂工况,依然稳定如初,大幅延长设备使用寿命。
工业自动化:伺服驱动与机器人
作为伺服驱动器的核心开关器件,ASE60N30的高频响应特性让机械臂动作更精准;其抗冲击能力则保障了生产线24小时不间断运行。
消费电子:快充与智能家居
从100W氮化镓快充到智能家电的电源模块,ASE60N30的小体积、低发热设计让终端产品更轻薄、更安全。
数据中心:高效电源与散热管理
在服务器电源和散热风扇驱动电路中,ASE60N30的高效性能可降低数据中心整体能耗,助力“碳中和”目标。
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