原创 IC 制造中的光刻工艺

引言

集成电路制造中的光刻工艺：光刻工艺用于在覆盖晶片的电阻器上产生多个图像。集成电路制造中的光刻工艺可以通过三个子工艺来实现：抗蚀剂的沉积，晶圆片的成像，以及氧化物的蚀刻。

在光刻过程中，来自源的辐射指向存在电路图案的掩模。一些辐射通过电路的透明或透明部分传输。而不透明的部分则阻挡了辐射。在集成电路制造中的光刻工艺如图所示。（江苏英思特半导体科技有限公司）

集成电路制造中的光刻工艺

光刻：

在光刻中，图像是在可见光或紫外线的帮助下使用接触印刷、接近印刷或投影印刷形成的。 两种光刻工艺：1）摄影面具的制作2）光刻。

光刻工艺在IC 制造中的作用是在抗蚀剂和晶圆上产生多重图像

首先在制作掩模时，准备好初始布局。然后将此布局分解为若干层，称为掩膜层。这些层的特点是每一层都对应于IC制造中的工艺步骤，例如基极扩散掩模层、集电极扩散掩模层、金属化掩模层等。

光刻工艺

光蚀刻是从选择区域去除SiO使得所需杂质扩散的过程。如图a所示，硅片上涂有一层光刻胶。有两种类型的光刻胶：负性光刻胶是一种在曝光时不易溶于显影剂的光刻胶。而正性光刻胶在曝光时变得更易溶解。

在晶圆上涂上光刻胶后，将准备好的掩模放置在涂有光刻胶的硅晶圆上，如图b 所示。然后将其暴露在紫外线下。这聚合了存在于掩模下方的光致抗蚀剂。去除掩模后，使用三氯乙烯对晶圆进行显影。由于化学反应，光刻胶上未聚合和未曝光的区域溶解。光刻的最后一步是清洁聚合光刻胶。然后将晶圆浸入氢氟酸等蚀刻剂溶液中。二氧化硅通过蚀刻从未被光致抗蚀剂覆盖的区域去除。

光刻工艺

江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备，晶圆清洁设备，RCA清洗机，KOH腐殖清洗机等设备的设计、生产和维护