原创
碳化硅(SiC)功率半导体器件行业发展现状及市场潜力分析报告
2024年09月25日 Global Info Research行业调研机构发布的《全球碳化硅(SiC)功率半导体器件行业总体规模、主要厂商及IPO上市调研报告,2024-2030》分析了全球碳化硅(SiC)功率半导体器件总体规模,主要地区规模,主要企业规模和份额,主要产品分类规模,下游主要应用规模等。统计维度包括收入和市场份额等。不仅全面分析全球范围内主要企业竞争态势,收入和市场份额等。同时也重点分析全球市场主要厂商(品牌)产品特点、产品规格、收入、毛利率及市场份额、及发展动态。历史数据为2019至2023年,预测数据为2024至2030年。
调研机构:Global Info Research电子及半导体行业研究中心
报告页码:181
本文研究碳化硅功率器件(Power SiC Devices),包括碳化硅MOSFET模块和碳化硅分立器件。分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
SiC MOSFET模块目前主要有650V、750V、900V、1200V、1700V和3300V SiC Module,核心厂商主要是主要用于电动汽车领域。目前全球碳化硅SiC模块主要生产商包括STMicroelectronics、英飞凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi、比亚迪、Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric和Semikron Danfoss等,全球前三大产生占有大约70%的市场份额。
SiC MOSFET分立器件(单管)主要产品有650V, 750V, 900V, 1200V and 1700V分立器件。目前全球SiC MOSFET单管主要厂商有意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和罗姆等,前五大厂商占有大约80%的市场份额。
SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有很小的总电荷(Qc),低开关损耗且高速开关工作。因此,它被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr(反向恢复时间)会随温度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸,非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性,例如电池充电,电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池板。 此外,它还被用于X射线发生装置等高压设备。
目前主要是650V、1200V、1700V、3300V碳化硅肖特二极管。核心厂商主要有意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美、微芯科技等,中国市场主要有三安光电、瑞能半导体科技股份有限公司等。
根据本项目团队最新调研,预计2030年全球碳化硅(SiC)功率半导体器件产值达到19310百万美元,2024-2030年期间年复合增长率CAGR为29.3%。
汽车是碳化硅功率器件最大的下游市场。2023年全球新能源汽车总销量达到了1465.3万辆,同步增长35.4%。其中中国新能源汽车销量达到949.5万辆,占全球销量的64.8%,新能源汽车产销量已连续8年位居全球第一。美国和欧洲2023年全年新能源汽车销量分别为294.8万辆和146.8万辆,同比增速分别为18.3%和48.0%。
根据不同产品类型,碳化硅(SiC)功率半导体器件细分为:SiC MOSFET模块、 SiC MOSFET分立器件、 SiC二极管(肖特二极管)、 其他细分
根据碳化硅(SiC)功率半导体器件不同下游应用,本文重点关注以下领域:汽车领域、 充电桩、 工业电机、 PV/储能、 UPS/数据中心、 轨道交通、 其他应用
全球碳化硅(SiC)功率半导体器件主要企业,包括:意法半导体、 英飞凌、 Wolfspeed、 罗姆、 安森美、 比亚迪半导体、 微芯科技、 三菱电机(Vincotech)、 赛米控丹佛斯、 富士电机、 Navitas (GeneSiC)、 东芝、 Qorvo (UnitedSiC)、 三安光电(三安集成)、 Littelfuse (IXYS)、 中电科55所(国基南方)、 瑞能半导体科技股份有限公司、 深圳基本半导体有限公司、 SemiQ、 Diodes Incorporated、 SanRex三社、 Alpha & Omega Semiconductor、 Bosch、 KEC、 强茂股份、 安世半导体、 威世科技、 株洲中车时代电气、 华润微电子、 斯达半导、 扬杰科技、 广东芯聚能半导体有限公司、 银河微电、 士兰微、 Cissoid、 SK powertech、 上海瞻芯电子科技有限公司、 中瓷电子、 苏州东微半导体股份有限公司、 华微电子、 派恩杰半导体(杭州)有限公司、 芯联集成
本文重点关注全球主要地区和国家,重点包括:
第1章、研究碳化硅(SiC)功率半导体器件产品的定义、行业规模统计说明、产品分类、应用等以及全球及地区总体规模及预测
第2章、着重分析企业,包括企业基本情况、主营业务及主要产品、碳化硅(SiC)功率半导体器件产品的介绍、收入、毛利率及企业最新发展动态等
第3章、重点分析全球竞争态势,主要包括全球碳化硅(SiC)功率半导体器件的收入、市场份额、企业相关业务/产品布局情况、下游市场及应用、行业并购、新进入者及扩产情况。
第4章、分析全球市场不同产品类型碳化硅(SiC)功率半导体器件的市场规模、收入、预测及份额
第5章、分析全球市场不同应用碳化硅(SiC)功率半导体器件的市场规模、收入、预测及份额
第6章、北美地区碳化硅(SiC)功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第7章、欧洲地区碳化硅(SiC)功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第8章、亚太地区碳化硅(SiC)功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第9章、南美地区碳化硅(SiC)功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第10章、中东及非洲碳化硅(SiC)功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第11章、深入研究碳化硅(SiC)功率半导体器件的市场动态、驱动因素、阻碍因素、发展趋势、行业内竞争者现在的竞争能力、潜在竞争者进入的能力、供应商的议价能力、购买者的议价能力、替代品的替代能力
第12章、碳化硅(SiC)功率半导体器件行业产业链分析、上游的核心原料以及原料供应商分析、中游分析、下游分析
第13-14章、研究结论以及研究方法,研究过程及数据来源
作者: GIRtina, 来源:面包板社区
链接: https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-4073268.html
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