原创 碳化硅（SiC）功率半导体器件行业发展现状及市场潜力分析报告

2024年09月25日  Global Info Research行业调研机构发布的《全球碳化硅（SiC）功率半导体器件行业总体规模、主要厂商及IPO上市调研报告，2024-2030》分析了全球碳化硅（SiC）功率半导体器件总体规模，主要地区规模，主要企业规模和份额，主要产品分类规模，下游主要应用规模等。统计维度包括收入和市场份额等。不仅全面分析全球范围内主要企业竞争态势，收入和市场份额等。同时也重点分析全球市场主要厂商（品牌）产品特点、产品规格、收入、毛利率及市场份额、及发展动态。历史数据为2019至2023年，预测数据为2024至2030年。

调研机构：Global Info Research电子及半导体行业研究中心

报告页码：181

本文研究碳化硅功率器件(Power SiC Devices)，包括碳化硅MOSFET模块和碳化硅分立器件。分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
SiC MOSFET模块目前主要有650V、750V、900V、1200V、1700V和3300V SiC Module，核心厂商主要是主要用于电动汽车领域。目前全球碳化硅SiC模块主要生产商包括STMicroelectronics、英飞凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi、比亚迪、Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric和Semikron Danfoss等，全球前三大产生占有大约70%的市场份额。

SiC MOSFET分立器件（单管）主要产品有650V, 750V, 900V, 1200V and 1700V分立器件。目前全球SiC MOSFET单管主要厂商有意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和罗姆等，前五大厂商占有大约80%的市场份额。

SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性，例如电池充电，电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池板。 此外，它还被用于X射线发生装置等高压设备。

目前主要是650V、1200V、1700V、3300V碳化硅肖特二极管。核心厂商主要有意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美、微芯科技等，中国市场主要有三安光电、瑞能半导体科技股份有限公司等。

根据本项目团队最新调研，预计2030年全球碳化硅（SiC）功率半导体器件产值达到19310百万美元，2024-2030年期间年复合增长率CAGR为29.3%。

汽车是碳化硅功率器件最大的下游市场。2023年全球新能源汽车总销量达到了1465.3万辆，同步增长35.4%。其中中国新能源汽车销量达到949.5万辆，占全球销量的64.8%，新能源汽车产销量已连续8年位居全球第一。美国和欧洲2023年全年新能源汽车销量分别为294.8万辆和146.8万辆，同比增速分别为18.3%和48.0%。

根据不同产品类型，碳化硅（SiC）功率半导体器件细分为：SiC MOSFET模块、 SiC MOSFET分立器件、 SiC二极管（肖特二极管）、 其他细分 

根据碳化硅（SiC）功率半导体器件不同下游应用，本文重点关注以下领域：汽车领域、 充电桩、 工业电机、 PV/储能、 UPS/数据中心、 轨道交通、 其他应用

全球碳化硅（SiC）功率半导体器件主要企业，包括：意法半导体、 英飞凌、 Wolfspeed、 罗姆、 安森美、 比亚迪半导体、 微芯科技、 三菱电机(Vincotech)、 赛米控丹佛斯、 富士电机、 Navitas (GeneSiC)、 东芝、 Qorvo (UnitedSiC)、 三安光电（三安集成）、 Littelfuse (IXYS)、 中电科55所（国基南方）、 瑞能半导体科技股份有限公司、 深圳基本半导体有限公司、 SemiQ、 Diodes Incorporated、 SanRex三社、 Alpha & Omega Semiconductor、 Bosch、 KEC、 强茂股份、 安世半导体、 威世科技、 株洲中车时代电气、 华润微电子、 斯达半导、 扬杰科技、 广东芯聚能半导体有限公司、 银河微电、 士兰微、 Cissoid、 SK powertech、 上海瞻芯电子科技有限公司、 中瓷电子、 苏州东微半导体股份有限公司、 华微电子、 派恩杰半导体(杭州)有限公司、 芯联集成

本文重点关注全球主要地区和国家，重点包括：
第1章、研究碳化硅（SiC）功率半导体器件产品的定义、行业规模统计说明、产品分类、应用等以及全球及地区总体规模及预测
第2章、着重分析企业，包括企业基本情况、主营业务及主要产品、碳化硅（SiC）功率半导体器件产品的介绍、收入、毛利率及企业最新发展动态等
第3章、重点分析全球竞争态势，主要包括全球碳化硅（SiC）功率半导体器件的收入、市场份额、企业相关业务/产品布局情况、下游市场及应用、行业并购、新进入者及扩产情况。
第4章、分析全球市场不同产品类型碳化硅（SiC）功率半导体器件的市场规模、收入、预测及份额
第5章、分析全球市场不同应用碳化硅（SiC）功率半导体器件的市场规模、收入、预测及份额
第6章、北美地区碳化硅（SiC）功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第7章、欧洲地区碳化硅（SiC）功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第8章、亚太地区碳化硅（SiC）功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第9章、南美地区碳化硅（SiC）功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第10章、中东及非洲碳化硅（SiC）功率半导体器件按国家、产品类型和应用的市场规模、收入、预测及份额
第11章、深入研究碳化硅（SiC）功率半导体器件的市场动态、驱动因素、阻碍因素、发展趋势、行业内竞争者现在的竞争能力、潜在竞争者进入的能力、供应商的议价能力、购买者的议价能力、替代品的替代能力
第12章、碳化硅（SiC）功率半导体器件行业产业链分析、上游的核心原料以及原料供应商分析、中游分析、下游分析
第13-14章、研究结论以及研究方法，研究过程及数据来源