原创 台积电采购EUV 2018年或迈入7纳米时代

欧洲半导体设备大厂ASML透露，晶圆代工大厂台积电（TSMC）计划在2015年采购两套超紫外光（EUV）扫描机，或将探底至7纳米的工艺技术节点。 根据ASML资深副总裁Frits van Hout的描述，台积电采购的EUV扫描机是针对10纳米工艺应用。他预期，台积电可能最快在2018年以采购ASML的EUV扫描机展开7纳米工艺芯片量产。 在11月24日举行的伦敦法说会上，ASML宣布接获台积电2台NXE：3350B EUV系统订单，预计于2015年出货，用于量产。ASML表示，业界可能会开始倾向于支持EUV技术。 台积电在2012年8月便曾表示，同意投资ASML约 85.4亿元，以确保取得最新的量产技术知识。此次采用EUV设备，台积电可能成为下一代半导体微影主流技术的第一波推动者。 台积电共同执行长刘德音说，他希望该套设备能在2015年年底准备好试产，并在2016年正式生产。 ASML估计逻辑电路会最早使用EUV工艺，将在2016年的10纳米节点上实现量产，NAND闪存会在2019开始启用EUV工艺，DRAM及MPU产品则会在2018年进入EUV时代。如果一切顺利，ASML预计2020年前会出货50台~60台EUV设备，营收达到120亿美元。 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载