原创 去耦，旁路，耦合

去耦，旁路，耦合

A.去藕是为保证输出端的稳定输出（主要是针对器件的工作）而设的“小水池”，在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作；

B.旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除；

C.藕合是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件。

有源器件【有源---需要直接或间接地有电源支持供给的。无源---无需电源、能源供给就可独立工作的】在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

去耦电容起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰【从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较 大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，【？】由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种 噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。】。

旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是 0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。

    综上，再来理解去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。就比较清楚LA

（1）每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取 0.01μF。
（2）数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。

1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效 果要好一些。【感觉与前面有冲突，存在疑点，请高手赐教】

    结论，一般来说，（1）容量为uf级的电容，象电解电容或钽电容，他的电感较大，谐振频率较小，对低频信号通过较好，而对高频信号，表现出较强的电感性，阻抗较大，同时，大电容还可以起到局部电荷池的作用，可以减少局部的干扰通过电源耦合出去；（2）容量为0.001~0.1uf的电容，一般为陶瓷电容或云母电容，电感小， 谐振频率高，对高频信号的阻抗较小，可以为高频干扰信号提供一条旁路，减少外界对该局部的耦合干扰

综合，选择钽电容和陶瓷电容做去耦电容【钽电容容量大,滤波性能好,但由于有小量的电感存在,对高频电波阻抗较大,故和陶瓷电容经常是同时使用，陶瓷电容对高频阻抗很小.】，前者大后者小。