有朋友和我聊瞬态热阻的问题,相信这是一个普遍性问题,这里整理一些材料总结一些。
关于热阻和热效应系数的问题可看:元器件热阻和热特性辨析
某种意义上,关于TVS的功率计算和电阻的瞬态功率的问题可以归一化为同一个问题。
瞬态热阻的意义为,由脉冲耗散功率所引起结的温升与该功率之比。其计算公式为:
有时候不一定给的是这个热阻,直接给出电流,这个时候就需要进行折算并实行降额
1.首先要考虑整个半导体能够承受的功耗的数值:
有不少做的较好的半导体供应商会提供数据,如归一化脉冲的持续时间和重复性脉冲的占空比对应下的热阻
2.将非规则的输入信号折合成均一化的模型:
3.叠加平均功率和瞬态功率
首先校验MOSFET稳态的平均功耗,我们考虑把所有的开关功耗折算在一起,得出平均功耗,根据器件的稳态的热阻进行核算。然后加上在不同的瞬态阶段产生的热量。
结果:
愿意深究的可以看这个文档,这是安森美的工程师写的,蛮好的一篇文章:
特殊的关于关断的瞬态功率,这篇文档写的还不错,仙童的工程师写的:
用户377235 2015-12-11 13:51
用户1516750 2011-6-29 12:26
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朱玉龙 2010-8-13 14:41
用户1212045 2010-8-13 14:29