原创 ESD

图中106是正电压保护电路，当101与102间电压差超过120的五个二极管正向压降，120与电阻122形成通路，电流上升，电阻122上的压降可以开启晶体管130，大部分电流通过晶体管泄漏。140是为了消耗集电极过多的电压。电阻122使得正常工作情况下的130不开启，同时可以调整开关时间（120等效为一堆电容串联）。

108是负电压保护电路，当负电压超过一个二极管正向压降＋一个BE结压降时，108形成102到101的通路。

正向防护：当310与312的电压差超过二极管370的反向击穿电压＋晶体管350的BE结电压时，350开启。大部分电流聪集电极向发射极泄漏。此处的二极管390起的作用是：当正常工作状态下，两个二极管370、390处于反向截止状态，仍由一定的反向漏电流，使这个反向漏电流通过390泄漏，而不会开启晶体管350。

当负压时：如果312与310的电压差达到两个二极管PN结的正向压降时，形成通路

这种负压阈值是二极管的正向压降（这里的肖特基为1V），正向的压降为一个反向击穿电压＋正向压降。与电阻串联的二极管需要承受较大的电流，此二极管较达林顿管先开启（图中的电源是用于仿真管子开启顺序的）

此处的正向保护阈值电压使齐纳二极管（稳压二极管）的反向击穿电压。电阻R必须仔细选择，以保证正常工作状态下，zener的反向漏电流不会开启NPN晶体管。反向保护阈值电压为zener的正向压降。

图一图二是anadigics的专利上面的图，

esd失效分析可以用液晶分析试验，

BJT不像CMOS对esd要求那么苛刻，但是对于InGaP的HBT一般都需要esd保护。GaAs肖特基二极管的正向压降在1V左右，反向击穿电压在17V左右，GaAs的HBT发射结开启电压在1.3V左右。

需要再理解一下晶体管的击穿电压电流关系。台湾交大在ESD方面研究较多，找时间看看他们的论文和书。