MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field effect transistor )
特点—— 用栅极电压来控制漏极电流
驱动电路简单，需要的驱动功率小
开关速度快，工作频率高
热稳定性优于GTR
电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
电力MOSFET的种类
可分为 P沟道 和N沟道。
耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。
增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于零时才存在导电沟道。
电力MOSFET主要是N沟道增强型。
电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为 VMOSFET——大大提高了 MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散结构的VDMOSFET。
如上图所示分为三个区：
电力MOSFET的结构
N沟道FET它以一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺在P型衬底上面的左右两侧制成两个高掺杂的N区，并用金属铝在两个N区引出电极，分别作为源极（Source）s和漏极（Drain）d；然后在P型硅片表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在漏源极之间的绝缘层上再喷一层金属铝作为栅极（Gate）g；另外在衬底引出衬底引线（Substrate）B（它通常在管内与源极s相连接）。可见这种管子的源极、漏极是绝缘的，故称绝缘栅场效应管。衬底B的箭头方向是PN结正偏时的正向电流方向。
导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导通：通过特殊工艺加工时在G集成＋电荷，当G加上正电压UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，在D,S加形成感生N沟道，如图所示，漏极和源极导电。
静态特性
漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性：
ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为
跨导Gfs.
如上图所示分为三个区：
截止区
饱和区
非饱和区
电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
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