原创 start

今天开始复习，确切应该说学习，之前好像什么都没有学到。。。。。

今天从半导体集成电路开始。

PN结隔离双极集成电路的工艺流程。

1：衬底选择，P型硅。

2：第一次光刻，N+隐埋层扩散孔光刻。

3：外延层淀积。外延层厚度：基区扩散结深，集电结耗尽区的宽度，隐埋层上推距离，氧化层所消耗的 外延层。

4：第二次光刻，P+隔离扩散孔光刻。

5：第三次光刻，P型基区扩散孔光刻。

6：第四次光刻，P+发射区扩散孔光刻。

7：第五次光刻，引线接触孔光刻。

8：第六次光刻，金属化内连线光刻。