EECON分为EECON1和EECON2,EECON1即读写控制积存器1,EECON2既读写控制积存器2
它主要有以下几个操作为
第7位 EEPGD 即控制是读/写的积存器类型.为1即读写FLASH;为0即读写EEPROM单元
第2位 WREN 即控制写的使能,相当于一个CP 只有当它为1使在能进行写操作 反之不能进行写操作
第1位 WR一次写操作控制位 为1时开始进行写操作,为0是不进行写操作
第0为 RD读操作控制为 为1是进行读操作 为0是不进行读操作
对EEPROM进行读操作时,结果是把EEDATA的内容传出来
对EEPROM进行写操作时,结果是把自己预先打算要写的内容存放到EEDATA当中去
这样解释应该很明了了
进行对EEPROM读的步骤
1首先把状态积存器的第6位置1 BSF STATUA,6 BCF STATUS,5
因为后面的EEADR地址为10DH
2把地址送EEADR MOVF DIZHI,0 MOVWF EEADR
3置EEPGD位为0 选择EEPROM为读写操作对象 BSF STATUS,5 BCF EECON1,7
4置RD位为1 进行读操作 BSF EECON1,0
BCF STATUS,5
MOVF EEDATA,0
一定要注意EEADR EEDATA 的地址为 10DH和10CH 它们都在体2不是体3
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