HEMT第十二讲 异质结 FET ――HIGFET,HEMT l HIGFET ――未沟道掺杂 HJFET 基本结构 互补 HJFET 逻辑 l HEMT 基本结构 基于 GaAs 的器件 基于 InP 的器件 当前的状况 现在的热门领域： 高温 FET ：SiC 和 GaN HFET GaAs 上的变质 InGaAs HEMT 集成情况 数字集成电路（IC） 单片微波集成电路（MMIC） l 异质结 FET ――未掺杂 HJFET （HIGFET ――异质结绝缘栅极 FET ） 结构： ――未掺杂异质结构 ――反向沟道 MOSFET 的 HFET 类比 无偏压时栅极下的能带： 载流子被栅极从掺杂区域拉进沟道。它们可以是空穴或者电子。 未掺杂 HJFET ――HIGFET 互补器件：相同的外延结构制成 n 沟 道或 p 沟道 HIGFET l 我们可以使用相同的外延结构 来制造 n 沟道和 p 沟道 FET l 问题： ―p 沟道还存在低 空穴迁移率的问题 ―源极和漏极电阻 是主要问题 ―只适用于增强型 互 补 HJFET 逻 辑 ― ― HFET CMOS n 沟道和 p 沟道增强型 HIGFET 反向器 正如 CMOS，其吸引人之处在于消除了静态功率，因为其在稳态的时候总是关闭的。 异质结 FET ――HEMT （也叫做 MODFET,TEGFET 和 SDFET ） 结构： ―未掺杂 NBG 层 上的掺杂 WBG 层 无偏压栅极下的导带边沿： AlGaAs 中的典型掺杂级为：1018 cm-3 沟道中的典型载流子面密度为：1012 cm-2 调制掺杂 HJFET ――HEMT HEMT 的最重要的问题是处理 n 掺杂的 AlGaAs 栅极 如何理解？考虑将沟道打开： 可以施加在栅极上的最大正向偏压由 AlGaAs 的传导开始点决定 适量的正向偏压： ……