碳化硅 (SiC) 是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于为电动汽车 (EV)、电源、电机控制电路和逆变器等高压器件生产专门的功率器件。绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (MOSFET) 等传统硅基功率器件的制造工艺简单并具有成本效益，历来是市场中的主导。但与其相比，SiC 具有许多优势。

使用碳化硅等宽带隙 (WBG) 材料代替传统的硅基技术有助于提高开关速度和击穿电压。这一进步推动了更小、更快、更可靠和更高效功率器件的开发。然而，新技术也在热阻、器件完整性和器件稳健性方面带来了重重挑战。

本白皮书介绍了 Simcenter 如何使用符合新测试标准的新型热瞬态测试和功率循环方法来帮助应对这些挑战。