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破解SiC、GaN栅极动态测试难题的解决方案
资料介绍

SiC、GaN 动态特性测量中,最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压 VGS 的测量,包括两个部分:开关过程和 Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的,这会导致设备和人员危险,同时还会由于跳变的共模电压而无法获得准确的结果。通常情况下,我们会选择高压差分探头来进行测量。

我们来使用测试界的魔法棒—光隔离探头,一起破解 SiC、GaN栅极动态测试难题。

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