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【2025年8月电子工程专辑杂志】AI时代下,HBM掀起下一代“存储革命”
资料介绍

在人工智能(AI)与数据中心需求的驱动下,高带宽内存(HBM)被誉为AI时代的“新石油”,也正掀起下一代“存储革命”。

本期主要内容

聚焦

  • AI时代下,HBM掀起下一代“存储革命”
  • 从2D到3D NOR闪存的转变
  • CXL 3.1和PCIe 6.2如何重新定义计算效率
  • HBM内存与AI处理器相得益彰
  • 内存安全将成为解决基础网络安全问题的关键
  • EnCharge首款模拟AI芯片瞄准PC市场
  • 人工智能需求推动分解式存储
  • 超越摩尔定律:我们需要重新思考新计算时代的材料

设计新技术

  • RRAM:适用于高性能嵌入式应用的非易失性存储器
  • 存储控制芯片如何应对AI监控挑战
  • 利用TinyML在MCU上部署神经网络
  • 适用于热稳定DRAM外围晶体管的新技术平台
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