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01月03日，安泰科技股份有限公司（股票代码：000969 ，简称：安泰科技）安泰科技在回复投资者中表示：公司一直重视金刚石领域新产品、新技术、新市场开发，系列热管理金刚石复合材料等新产品正在按计划推进中。 01 安泰科技金刚石热管理业务稳步前行 安泰科技是由中国钢研科技集团有限公司（原钢铁研究总院）等发起成立的高科技股份有限公司。公司以先进金属材料为主业，服务于战略性新兴产业，在金刚石工具领域更是我国产业化的先行者和技术创新的引领者。公司产品90%以上出口，是国内最大的金刚石工具出口基地，且率先通过欧盟OSA认证并在泰国建立海外生产基地。 2024年中报数据显示，安泰科技金刚石工具板块充分发挥新产品、新客户开拓优势，向欧美市场大客户推广电池锯、石材片、PDA钎焊钻头等新产品，订单同比增长超15%。其泰国子公司紧抓供应链重构机遇，实现订单额1.18亿元，同比增长14%；收入1.14亿元，同比增长15%；净利润2,036万元，同比大幅增长71%，金刚石业务展现出蓬勃的发展态势。 02 金刚石AI时代的超级降温神器 随着半导体技术遵循摩尔定律不断向更精细的纳米制程迈进，芯片的热设计功耗（TDP）持续攀升，内部热流密度急剧增加，散热问题已成为AI与高性能计算（HPC）领域面临的核心挑战。当芯片表面温度达到70-80℃区间时，每增加1℃，其可靠性就会降低10%，而过热更是直接导致了超过55%的设备故障。 金刚石作为已知热导率最高的材料之一，其热导率高达2000W/m·K，是硅的13倍、碳化硅的4倍，以及铜和银的4-5倍，无疑是理想的散热材料。相较于碳化硅，金刚石芯片在成本效益上展现出显著优势，理论上能够降低高达30%的成本，同时所需材料面积仅为硅基芯片的1/150，极大节省了空间。 散热领域有望成为其率先实现产业化的应用场景。 （1）AI算力领域 人造金刚石散热技术作为下一代散热解决方案，在AI时代展现出划时代的意义和巨大的产业化潜力。钻石散热技术能显著提升GPU、CPU的性能达3倍，温度降低60%，能耗减少40%。金刚石散热技术显著降低了数据中心的冷却成本，提高了能源效率，有效减少了因过热导致的硬件故障和性能下降风险。随着AI时代对算力需求的不断增加，钻石散热技术将成为其散热问题的重要解决方案。 （2）新能源汽车领域 超薄钻石纳米膜技术有望使电动汽车充电速度提升5倍，热负荷降低10倍，同时逆变器体积大幅缩小，有望应用于电动汽车的电池管理系统和电机控制器中，以提高充电速度和热负荷管理能力。 （3）航空航天领域 钻石散热技术可用于提高卫星和飞行器的热管理能力，确保其在极端环境下的稳定运行，提升数据传输速率，优化设备性能，并解决续航问题。 据市场调研机构Virtuemarket数据，2023年全球金刚石半导体基材市场价值为1.51亿美元，预计到2030年底市场规模将达到3.42亿美元，2024年—2030年的预测复合年增长率为12.3%。 03 国内外科研企业齐发力，金刚石赛道布局正当时 金刚石产业正迎来全球创新浪潮。国外方面，英伟达已率先开展钻石散热GPU实验，其性能达到普通芯片的三倍。同时，西班牙政府获欧洲委员会批准，将向人造金刚石厂商Diamond Foundry提供8100万欧元补贴，支持其在西班牙建造金刚石晶圆厂，预计2025年开始生产单晶金刚石芯片，这将是全球首座金刚石晶圆厂。 国内相关企业和科研机构也正在积极布局“钻石散热”技术，并在半导体金刚石衬底、薄膜及热沉等关键环节取得显著突破。中国作为人造金刚石的主要生产国，拥有838家相关企业，2023年产量占全球总产量的95%，且产业链具有明显成本优势。 华为： 公司于2024年12月3日公布了一项名为“一种半导体器件及其制作方法、集成电路、电子设备”的专利，该专利涉及金刚石散热技术。这表明华为在钻石散热领域进行了深入的技术研发，并计划未来将该技术应用于其产品中。 四方达： 公司已完成MPCVD设备及工艺开发，成功研发两英寸光学级金刚石，200台MPCVD设备已满产。项目已于9月8日开工，预计2024年投产，将成为国内最大的CVD金刚石生产基地，预计一阶段达产产值超10亿元，二阶段有望实现年产值15亿元以上。 惠丰钻石： 公司关注单晶散热片、多晶片、多晶薄膜等产品，正积极储备金刚石散热技术，加大功能性金刚石在半导体、散热材料等领域的应用，以开拓新收入增长点。 中兵红箭： 公司旗下子公司——中南钻石在超硬材料领域市占率世界第一，开发了培育钻石产品，并积极推动金刚石材料在半导体、光学、散热、量子等前沿领域的应用。 力量钻石： 公司是我国HPHT法培育钻石生产设备的主要供应商，与台湾捷斯奥企业有限公司合作研究半导体散热功能性金刚石材料。公司的IC芯片加工用八面体金刚石已应用于半导体CMP工艺加工制程。 黄河旋风： 公司是中国人造金刚石行业领军企业。公司与厦门大学合作成立集成电路热控联合实验室，研发CVD多晶金刚石热沉片，并计划继续研发更大尺寸及光学级CVD多晶金刚石薄膜。 化合积电： 厦门化合积电已具备较为完整的金刚石半导体材料解决方案，并实现规模化生产，其金刚石热沉片可用于芯片散热，并为华为钻石散热技术提供支持。 恒盛能源： 通过增资桦茂科技涉足金刚石散热技术的研发和应用，桦茂科技具备MPCVD法培育大钻石技术。 沃尔德： 在CVD金刚石的制备及应用方面有15年以上研发和技术储备，掌握三大CVD金刚石生长技术，产品矩阵包括金刚石膜声学器件、金刚石热沉材料等。公司持续探索金刚石功能材料在声、光、电、热等领域的研究和应用。 国机精工： 在金刚石散热片方面取得广泛应用，尤其是在高功率半导体激光器和GaN半导体芯片领域。 晶盛机电： 全自动MPCVD法生长金刚石设备经过测试，能一次实现20颗以上4-5克拉毛坯钻石的生产能力，设备稳定性好，综合生长良率高。 在科研机构方面，2024年12月，北京大学东莞光电研究院王琦研究员携手南方科技大学李携曦教授、香港大学Yuan Lin教授及褚智勤教授等顶尖学者，成功制备出面积达2英寸晶圆、厚度仅亚微米级、表面粗糙度低于纳米且可360°弯曲的超柔性金刚石薄膜，并在《自然》（Nature）期刊发表题为“Scalable production of ultraflat and ultraflexible diamond membranes”的研究成果。 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy 18158225562

2024年12月，杭州镓仁半导体有限公司在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破。公司与下游客户合作携手对（010）面氧化镓半绝缘衬底进行了深入器件验证，成功制备出性能卓越的增强型晶体管。该晶体管击穿电压高达2429V，开关比大于10的7次方，器件栅漏间距30μm，栅宽3μm，关态漏电约10-7mA/mm。在同等条件下，镓仁衬底的器件指标显著优于进口衬底的器件验证结果（2080V）。 ​ 01 氧化镓的性能优势 氧化镓（Ga2O3）作为第四代超宽禁带半导体材料的杰出代表，以其卓越的性能在科技领域崭露头角。其禁带宽度高达4.8-4.9eV，远超碳化硅（3.25eV）和氮化镓（3.4eV），击穿场强理论值可达8MV/cm，是氮化镓的2.5倍、碳化硅的3倍有余。凭借出众的能效优势，氧化镓理论损耗仅为硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3，在高效能、低损耗的电力电子领域中具有巨大潜力。同时，它兼具出色的化学与热稳定性，制备工艺简洁高效，为大规模产业化应用奠定了基础。 ​ ​氧化镓存在多种晶相，其中最稳定的β‐Ga2O3最早作为可见光波导受到关注，而亚稳定相α‐Ga2O3具有更宽的带隙（5.3eV）和更高的折射率，可能在光电路平台上展现优异性能。 ​ ​ 02 技术创新与突破 杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于第四代半导体——氧化镓等宽禁带半导体材料的研发、生产和销售的科技型企业。公司在氧化镓单晶生长技术上不断取得创新突破。2024年3月，公司采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法，成功制备了6英寸高质量氧化镓单晶衬底；4月，又推出了2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了自主量产，成为全球唯一的晶圆级（010）氧化镓衬底供应商；9月，公司再推首台国产氧化镓专用VB法长晶设备，填补了国内技术空白，为国产氧化镓材料行业的发展注入了新的动力。 ​ ​近期，除镓仁半导体氧化镓技术取得进展外。日本东京大学在α-Ga2O3领域也成功实现了重大突破。日本东京大学先端科学技术研究中心研究团队成功利用氧化镓的亚稳相α-Ga2O3制作了可见光区域的单模波导，并观测到了光导波。他们采用Mist-CVD法在蓝宝石衬底上生长了200nm厚的高质量α-Ga2O3薄膜，并通过PECVD法、光刻工艺和RIE刻蚀等步骤完成了波导结构的制作。波导宽度为1μm，两端配置了光栅耦合器。通过本征模式计算确认该结构为TE偏光的单模导波路，并成功观察到红光在波导中的传输，还验证了弯曲半径为20µm的弯曲波导的TE偏光光波导特性。研究人员指出，通过降低表面粗糙度可进一步抑制光损耗和散射，未来计划改进工艺提升波导性能。 ​ 显示弯曲波导中波导的CCD图像 ​ 03 资本青睐与市场前景 随着氧化镓技术的不断突破和性能优势的逐渐显现，越来越多的资本开始关注并投资于这一领域。11月14日，知名投资机构力合科创宣布圆满完成了对广州拓诺稀科技有限公司的数百万天使轮投资。拓诺稀科技作为氧化镓（Ga2O3）外延薄膜制备及高性能半导体器件研发的领先企业，一直致力于氧化镓外延薄膜的精湛制备与高性能半导体器件的创新开发。 ​ ​市场相关机构预测，至2030年，氧化镓功率元件市场规模有望突破数百亿元人民币。氧化镓作为后起之秀，正以其卓越的性能表现和广阔的应用前景，悄然改变着整个行业的格局。 ​ ​ 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

北京时间2024年12月30日， 氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK 。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。 英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。 当前，英诺赛科已与OPPO、Vivo、小米等知名手机厂商，安克、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商，以及家电、储能行业的头部企业建立了密切合作关系，其产品InnoGaN也在手机OVP、快充、车载激光雷达、车载PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、BMS电池管理、储能双向变换器、光伏MPPT等产品中大批量量产。 2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4%。截至2024年6月，累计出货量超过8.5亿颗。 敲钟仪式现场，英诺赛科董事长骆薇薇博士在发言中讲到，“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。 此次在香港交易所的上市，是公司发展历程中的一个重要里程碑，标志着我们将以更广阔的视野和更坚定的步伐，迈向全球市场。英诺赛科相信GaN可以改变世界，打造更加绿色的地球家园。 作为全球氮化镓行业的领军企业，我们将持续专注技术创新，赋能全球客户体验高频、高效、绿色节能的氮化镓产品。” 随着在港交所主板的成功上市，英诺赛科有望借助国际资本市场的力量进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。展望未来，公司将进一步加速技术创新和业务拓展的步伐，提升品牌影响力和市场竞争力，巩固其作为全球龙头的地位，在新一轮全球化产业竞争中创造更加辉煌的成就。 说明：来源英诺赛科。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下简称“台积公司”）就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。 通过该合作关系，双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。 氮化镓功率器件目前主要被用于AC适配器和服务器电源等消费电子和工业设备应用。作为可持续发展和绿色制造的领导者，台积公司看好未来氮化镓功率器件在电动汽车（EV）的车载充电器和逆变器等车载应用中的环境效益，正在加强自身的氮化镓技术实力。 此次的合作关系是基于罗姆与台积公司在氮化镓功率器件领域的合作历史建立起来的。2023年，罗姆采用台积公司的650V耐压氮化镓HEMT工艺，推出了属于罗姆EcoGaN™系列的新产品，目前新产品已被用于包括Delta Electronics, Inc.旗下品牌Innergie的45W AC适配器“C4 Duo”在内的众多消费电子和工业领域应用。 罗姆董事兼专务执行官东克己表示 “能够高频工作的氮化镓器件，因其具有小型、节能且有助于实现无碳社会的优势而被寄予厚望。要想将其产品优势落实到实际应用中，拥有可信赖的合作伙伴非常重要，我们非常高兴能够与拥有世界尖端制造技术的台积公司合作。在该合作关系基础上，我们还将通过提供包括可更大程度地激发氮化镓性能的控制IC在内的、易用的氮化镓解决方案，来促进氮化镓功率器件在车载应用领域的普及。” 台积公司特殊技术业务开发资深处长李健欣表示 “随着我们在氮化镓制程技术的下一代发展，台积公司和罗姆将扩展我们的合作伙伴关系，致力于开发和生产用于汽车应用的氮化镓功率器件。通过结合台积公司在半导体制造领域的专业知识和罗姆在功率器件设计方面的专长，我们将努力推动氮化镓技术及其在电动车上的应用边界。” 关于台积公司 台积公司成立于1987年，率先开创了专业集成电路制造服务之商业模式，自此成为世界领先的专业集成电路制造服务公司。台积公司以领先业界的制程技术及设计解决方案组合支援其客户及伙伴生态系统的蓬勃发展，以此释放全球半导体产业的创新。身为全球的企业公民，台积公司的营运范围遍及亚洲、欧洲及北美，致力成为企业社会责任的行动者。2023年，台积公司提供最广泛的先进制程、特殊制程及先进封装等288种制程技术，为528个客户生产1万1,895种不同产品。台积公司企业总部位于中国台湾新竹。 关于罗姆 罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。 会议推荐 “2025未来半导体产业发展大会” 2025年 4月10-12日 苏州举行 Flink未来产链 以 “ 新材料，芯未来 ”为主题 ， 从材料研发、加工工艺、装备优化、终端需求等产业难题入手。 重点聚焦 金刚石半导体 、 碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、碳基电子等新型半导体技术、与封装集成、 微纳加工等方向， 挖掘未来半导体产业发展机遇。 会议话题 主题一：碳基半导体材料与器件产业发展 （一）碳基CMOS晶体管和集成电路的现状与挑战 1、碳基半导体材料设计与合成 2、碳基纳米材料在半导体中应用进展与产业化难点分析 3、碳基芯片最新进展与应用案例 （二）金刚石半导体商用化进程及难题解决方案 1、大尺寸金刚石晶圆制备技术与装备升级 2、批量化低成本金刚石晶片制备与商业化应用案例 3、金刚石薄膜热导/热阻精确测试 4、大尺寸金刚石低成本高质量磨抛 5、金刚石低温高质量键合、三维集成兼容工艺、性能测试 6、多芯粒AI芯片集成金刚石散热及可靠性 主题二：化合物半导体关键材料与功率器件 1、新型化合物半导体材料的探索与特性研究 2、化合物半导体材料的生长技术与质量控制 3、材料的掺杂技术与性能调控 4、化合物半导体功率器件的结构设计与优化 5、功率器件的制造工艺与挑战 6、化合物半导体功率器件的可靠性与寿命问题 7、高温、高压和高频应用下的功率器件性能要求与解决方案 8、化合物半导体功率器件在新能源领域的应用 9、通信与射频领域的化合物半导体功率器件需求 10、工业与医疗领域的化合物半导体功率器件应用 11、化合物半导体技术与其他先进技术的融合，如人工智能、物联网、传感器技术等 主题三：微纳加工与封装集成 1、异质融合布局 2、先进键合与封装技术 3、晶圆平坦化、等离子抛光 4、激光直写技术、激光加工（晶圆抛磨、切割等） 5、纳制造技术（纳米压印技术、刻划技术、原子操纵技术等） 点击扩展阅读： Flink：2025未来半导体产业发展大会 说明：此文来源GaN世界，部分数据来源于网络资料。文章不用于商业目的，仅供行业人士交流。发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”，股票代码：02577.HK）正式拉开了公开招股的序幕，计划在全球范围内发行4536.4万股H股。其中，香港市场发售部分约占总额的10%，国际市场发售部分则占约90%，并设有约15%的超额配股权。此次发行的定价上限设定为每股发售股份33.66港元。预计H股将于12月30日闪耀登陆香港股市。 01 紧抓氮化镓市场爆发机遇 作为第三代半导体材料的代表，氮化镓凭借其高频、耐高压、抗辐射等卓越性能，正逐步成为功率半导体行业的变革核心。自 2023年起，氮化镓功率半导体步入繁荣期，广泛应用于电动汽车、数据中心、光伏发电站及电网等领域，展现出巨大的市场潜力。数据显示，氮化镓功率半导体行业规模自2019年的13.94亿元迅速增长至2023年的180亿元，复合年增长率高达88.5%。2023年，全球氮化镓功率半导体在功率半导体市场的渗透率已达0.5%，占全球功率半导体分立器件市场的1.4%。随着技术不断成熟及下游应用持续拓展，预计至2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将飙升至501亿元，市占率将提升至全球功率半导体市场的10.1%，占全球功率半导体分立器件市场的份额也将达到24.9%，为行业参与者带来前所未有的机遇。 英诺赛科凭借其前瞻性的核心技术与关键工艺战略，全球领先地实现了 8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，作为唯一拥有全电压谱系硅基氮化镓半导体产品量产能力的公司，英诺赛科的产品组合广泛覆盖低压消费电子产品至高压可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等领域。 02 全球氮化镓功率半导体之首 英诺赛科是 全球首家实现 8英寸硅基氮化镓晶圆量产的IDM企业， 公司 拥有全球最大的生产基地，月产能达 12,500片晶圆。2021年至2023年，公司 营业 收入复合年增长率高达 194.8%， 其 2023年收入达592.7百万元，市场份额 高达 33.7% 。 按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科稳居全球第一，市占率达 42.4%，累计出货量突破8.5亿颗大关。 英诺赛科采用 IDM模式，全程自主把控设计、制造与测试，技术领先，每晶圆晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。截至目前，公司拥有406项专利及387项专利申请，产品覆盖15V至1200V的低中高压应用场景，赢得广泛客户认可。凭借卓越的工艺与制造能力，英诺赛科晶圆良率超过95%，氮化镓产品全面解决方案成本已低于传统硅基方案，为客户提供极具竞争力的价格，进一步巩固其市场地位。 在消费电子产品领域， 公司 氮化镓解决方案能在相同成本下将 USB-PD充电器体积及重量缩减70%，或提升充电功率50%。在可再生能源领域， 其 氮化镓技术将能源利用效率提高 30%，同时减小太阳能发电站面积30%，并降低整体系统成本20%。英诺赛科对氮化镓技术的深耕细作与对品质的不懈追求，不仅铸就了其行业领先地位，更为第三代半导体时代的发展注入了强劲动力。 03 借力资本翅膀，翱翔国际舞台 此次赴港上市，将为英诺赛科搭建起国际舞台，提升其全球知名度与影响力，同时借助资本市场的磅礴力量，加速全球布局，推动技术创新迭代，持续引领氮化镓领域稳健发展，为第三代半导体时代的蓬勃进程贡献更强劲的动力。 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章不用于商业目的，仅供行业人士交流。发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562