原创氮化镓龙头英诺赛科，年内登陆港交所，开启资本新征程！

 2024-12-19 09:36  31 0 分类: 工业电子

12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”，股票代码：02577.HK）正式拉开了公开招股的序幕，计划在全球范围内发行4536.4万股H股。其中，香港市场发售部分约占总额的10%，国际市场发售部分则占约90%，并设有约15%的超额配股权。此次发行的定价上限设定为每股发售股份33.66港元。预计H股将于12月30日闪耀登陆香港股市。

01 紧抓氮化镓市场爆发机遇

作为第三代半导体材料的代表，氮化镓凭借其高频、耐高压、抗辐射等卓越性能，正逐步成为功率半导体行业的变革核心。自2023年起，氮化镓功率半导体步入繁荣期，广泛应用于电动汽车、数据中心、光伏发电站及电网等领域，展现出巨大的市场潜力。数据显示，氮化镓功率半导体行业规模自2019年的13.94亿元迅速增长至2023年的180亿元，复合年增长率高达88.5%。2023年，全球氮化镓功率半导体在功率半导体市场的渗透率已达0.5%，占全球功率半导体分立器件市场的1.4%。随着技术不断成熟及下游应用持续拓展，预计至2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将飙升至501亿元，市占率将提升至全球功率半导体市场的10.1%，占全球功率半导体分立器件市场的份额也将达到24.9%，为行业参与者带来前所未有的机遇。

英诺赛科凭借其前瞻性的核心技术与关键工艺战略，全球领先地实现了8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，作为唯一拥有全电压谱系硅基氮化镓半导体产品量产能力的公司，英诺赛科的产品组合广泛覆盖低压消费电子产品至高压可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等领域。

02 全球氮化镓功率半导体之首

英诺赛科是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的IDM企业，公司拥有全球最大的生产基地，月产能达12,500片晶圆。2021年至2023年，公司营业收入复合年增长率高达194.8%，其2023年收入达592.7百万元，市场份额高达33.7%。按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科稳居全球第一，市占率达42.4%，累计出货量突破8.5亿颗大关。

英诺赛科采用IDM模式，全程自主把控设计、制造与测试，技术领先，每晶圆晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。截至目前，公司拥有406项专利及387项专利申请，产品覆盖15V至1200V的低中高压应用场景，赢得广泛客户认可。凭借卓越的工艺与制造能力，英诺赛科晶圆良率超过95%，氮化镓产品全面解决方案成本已低于传统硅基方案，为客户提供极具竞争力的价格，进一步巩固其市场地位。

在消费电子产品领域，公司氮化镓解决方案能在相同成本下将USB-PD充电器体积及重量缩减70%，或提升充电功率50%。在可再生能源领域，其氮化镓技术将能源利用效率提高30%，同时减小太阳能发电站面积30%，并降低整体系统成本20%。英诺赛科对氮化镓技术的深耕细作与对品质的不懈追求，不仅铸就了其行业领先地位，更为第三代半导体时代的发展注入了强劲动力。