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2024年12月,杭州镓仁半导体有限公司在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破。公司与下游客户合作携手对(010)面氧化镓半绝缘衬底进行了深入器件验证,成功制备 ...
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01 研究背景 在超宽带隙半导体领域,研究者们正致力于开发具有超高增益的深紫外( DUV) ...
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