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2024年12月，杭州镓仁半导体有限公司在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破。公司与下游客户合作携手对（010）面氧化镓半绝缘衬底进行了深入器件验证，成功制备出性能卓越的增强型晶体管。该晶体管击穿电压高达2429V，开关比大于10的7次方，器件栅漏间距30μm，栅宽3μm，关态漏电约10-7mA/mm。在同等条件下，镓仁衬底的器件指标显著优于进口衬底的器件验证结果（2080V）。 ​ 01 氧化镓的性能优势 氧化镓（Ga2O3）作为第四代超宽禁带半导体材料的杰出代表，以其卓越的性能在科技领域崭露头角。其禁带宽度高达4.8-4.9eV，远超碳化硅（3.25eV）和氮化镓（3.4eV），击穿场强理论值可达8MV/cm，是氮化镓的2.5倍、碳化硅的3倍有余。凭借出众的能效优势，氧化镓理论损耗仅为硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3，在高效能、低损耗的电力电子领域中具有巨大潜力。同时，它兼具出色的化学与热稳定性，制备工艺简洁高效，为大规模产业化应用奠定了基础。 ​ ​氧化镓存在多种晶相，其中最稳定的β‐Ga2O3最早作为可见光波导受到关注，而亚稳定相α‐Ga2O3具有更宽的带隙（5.3eV）和更高的折射率，可能在光电路平台上展现优异性能。 ​ ​ 02 技术创新与突破 杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于第四代半导体——氧化镓等宽禁带半导体材料的研发、生产和销售的科技型企业。公司在氧化镓单晶生长技术上不断取得创新突破。2024年3月，公司采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法，成功制备了6英寸高质量氧化镓单晶衬底；4月，又推出了2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了自主量产，成为全球唯一的晶圆级（010）氧化镓衬底供应商；9月，公司再推首台国产氧化镓专用VB法长晶设备，填补了国内技术空白，为国产氧化镓材料行业的发展注入了新的动力。 ​ ​近期，除镓仁半导体氧化镓技术取得进展外。日本东京大学在α-Ga2O3领域也成功实现了重大突破。日本东京大学先端科学技术研究中心研究团队成功利用氧化镓的亚稳相α-Ga2O3制作了可见光区域的单模波导，并观测到了光导波。他们采用Mist-CVD法在蓝宝石衬底上生长了200nm厚的高质量α-Ga2O3薄膜，并通过PECVD法、光刻工艺和RIE刻蚀等步骤完成了波导结构的制作。波导宽度为1μm，两端配置了光栅耦合器。通过本征模式计算确认该结构为TE偏光的单模导波路，并成功观察到红光在波导中的传输，还验证了弯曲半径为20µm的弯曲波导的TE偏光光波导特性。研究人员指出，通过降低表面粗糙度可进一步抑制光损耗和散射，未来计划改进工艺提升波导性能。 ​ 显示弯曲波导中波导的CCD图像 ​ 03 资本青睐与市场前景 随着氧化镓技术的不断突破和性能优势的逐渐显现，越来越多的资本开始关注并投资于这一领域。11月14日，知名投资机构力合科创宣布圆满完成了对广州拓诺稀科技有限公司的数百万天使轮投资。拓诺稀科技作为氧化镓（Ga2O3）外延薄膜制备及高性能半导体器件研发的领先企业，一直致力于氧化镓外延薄膜的精湛制备与高性能半导体器件的创新开发。 ​ ​市场相关机构预测，至2030年，氧化镓功率元件市场规模有望突破数百亿元人民币。氧化镓作为后起之秀，正以其卓越的性能表现和广阔的应用前景，悄然改变着整个行业的格局。 ​ ​ 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

北京时间2024年12月30日， 氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK 。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。 英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。 当前，英诺赛科已与OPPO、Vivo、小米等知名手机厂商，安克、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商，以及家电、储能行业的头部企业建立了密切合作关系，其产品InnoGaN也在手机OVP、快充、车载激光雷达、车载PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、BMS电池管理、储能双向变换器、光伏MPPT等产品中大批量量产。 2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4%。截至2024年6月，累计出货量超过8.5亿颗。 敲钟仪式现场，英诺赛科董事长骆薇薇博士在发言中讲到，“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。 此次在香港交易所的上市，是公司发展历程中的一个重要里程碑，标志着我们将以更广阔的视野和更坚定的步伐，迈向全球市场。英诺赛科相信GaN可以改变世界，打造更加绿色的地球家园。 作为全球氮化镓行业的领军企业，我们将持续专注技术创新，赋能全球客户体验高频、高效、绿色节能的氮化镓产品。” 随着在港交所主板的成功上市，英诺赛科有望借助国际资本市场的力量进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。展望未来，公司将进一步加速技术创新和业务拓展的步伐，提升品牌影响力和市场竞争力，巩固其作为全球龙头的地位，在新一轮全球化产业竞争中创造更加辉煌的成就。 说明：来源英诺赛科。文章仅供行业人士交流，发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下简称“台积公司”）就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。 通过该合作关系，双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。 氮化镓功率器件目前主要被用于AC适配器和服务器电源等消费电子和工业设备应用。作为可持续发展和绿色制造的领导者，台积公司看好未来氮化镓功率器件在电动汽车（EV）的车载充电器和逆变器等车载应用中的环境效益，正在加强自身的氮化镓技术实力。 此次的合作关系是基于罗姆与台积公司在氮化镓功率器件领域的合作历史建立起来的。2023年，罗姆采用台积公司的650V耐压氮化镓HEMT工艺，推出了属于罗姆EcoGaN™系列的新产品，目前新产品已被用于包括Delta Electronics, Inc.旗下品牌Innergie的45W AC适配器“C4 Duo”在内的众多消费电子和工业领域应用。 罗姆董事兼专务执行官东克己表示 “能够高频工作的氮化镓器件，因其具有小型、节能且有助于实现无碳社会的优势而被寄予厚望。要想将其产品优势落实到实际应用中，拥有可信赖的合作伙伴非常重要，我们非常高兴能够与拥有世界尖端制造技术的台积公司合作。在该合作关系基础上，我们还将通过提供包括可更大程度地激发氮化镓性能的控制IC在内的、易用的氮化镓解决方案，来促进氮化镓功率器件在车载应用领域的普及。” 台积公司特殊技术业务开发资深处长李健欣表示 “随着我们在氮化镓制程技术的下一代发展，台积公司和罗姆将扩展我们的合作伙伴关系，致力于开发和生产用于汽车应用的氮化镓功率器件。通过结合台积公司在半导体制造领域的专业知识和罗姆在功率器件设计方面的专长，我们将努力推动氮化镓技术及其在电动车上的应用边界。” 关于台积公司 台积公司成立于1987年，率先开创了专业集成电路制造服务之商业模式，自此成为世界领先的专业集成电路制造服务公司。台积公司以领先业界的制程技术及设计解决方案组合支援其客户及伙伴生态系统的蓬勃发展，以此释放全球半导体产业的创新。身为全球的企业公民，台积公司的营运范围遍及亚洲、欧洲及北美，致力成为企业社会责任的行动者。2023年，台积公司提供最广泛的先进制程、特殊制程及先进封装等288种制程技术，为528个客户生产1万1,895种不同产品。台积公司企业总部位于中国台湾新竹。 关于罗姆 罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。 会议推荐 “2025未来半导体产业发展大会” 2025年 4月10-12日 苏州举行 Flink未来产链 以 “ 新材料，芯未来 ”为主题 ， 从材料研发、加工工艺、装备优化、终端需求等产业难题入手。 重点聚焦 金刚石半导体 、 碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、碳基电子等新型半导体技术、与封装集成、 微纳加工等方向， 挖掘未来半导体产业发展机遇。 会议话题 主题一：碳基半导体材料与器件产业发展 （一）碳基CMOS晶体管和集成电路的现状与挑战 1、碳基半导体材料设计与合成 2、碳基纳米材料在半导体中应用进展与产业化难点分析 3、碳基芯片最新进展与应用案例 （二）金刚石半导体商用化进程及难题解决方案 1、大尺寸金刚石晶圆制备技术与装备升级 2、批量化低成本金刚石晶片制备与商业化应用案例 3、金刚石薄膜热导/热阻精确测试 4、大尺寸金刚石低成本高质量磨抛 5、金刚石低温高质量键合、三维集成兼容工艺、性能测试 6、多芯粒AI芯片集成金刚石散热及可靠性 主题二：化合物半导体关键材料与功率器件 1、新型化合物半导体材料的探索与特性研究 2、化合物半导体材料的生长技术与质量控制 3、材料的掺杂技术与性能调控 4、化合物半导体功率器件的结构设计与优化 5、功率器件的制造工艺与挑战 6、化合物半导体功率器件的可靠性与寿命问题 7、高温、高压和高频应用下的功率器件性能要求与解决方案 8、化合物半导体功率器件在新能源领域的应用 9、通信与射频领域的化合物半导体功率器件需求 10、工业与医疗领域的化合物半导体功率器件应用 11、化合物半导体技术与其他先进技术的融合，如人工智能、物联网、传感器技术等 主题三：微纳加工与封装集成 1、异质融合布局 2、先进键合与封装技术 3、晶圆平坦化、等离子抛光 4、激光直写技术、激光加工（晶圆抛磨、切割等） 5、纳制造技术（纳米压印技术、刻划技术、原子操纵技术等） 点击扩展阅读： Flink：2025未来半导体产业发展大会 说明：此文来源GaN世界，部分数据来源于网络资料。文章不用于商业目的，仅供行业人士交流。发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”，股票代码：02577.HK）正式拉开了公开招股的序幕，计划在全球范围内发行4536.4万股H股。其中，香港市场发售部分约占总额的10%，国际市场发售部分则占约90%，并设有约15%的超额配股权。此次发行的定价上限设定为每股发售股份33.66港元。预计H股将于12月30日闪耀登陆香港股市。 01 紧抓氮化镓市场爆发机遇 作为第三代半导体材料的代表，氮化镓凭借其高频、耐高压、抗辐射等卓越性能，正逐步成为功率半导体行业的变革核心。自 2023年起，氮化镓功率半导体步入繁荣期，广泛应用于电动汽车、数据中心、光伏发电站及电网等领域，展现出巨大的市场潜力。数据显示，氮化镓功率半导体行业规模自2019年的13.94亿元迅速增长至2023年的180亿元，复合年增长率高达88.5%。2023年，全球氮化镓功率半导体在功率半导体市场的渗透率已达0.5%，占全球功率半导体分立器件市场的1.4%。随着技术不断成熟及下游应用持续拓展，预计至2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将飙升至501亿元，市占率将提升至全球功率半导体市场的10.1%，占全球功率半导体分立器件市场的份额也将达到24.9%，为行业参与者带来前所未有的机遇。 英诺赛科凭借其前瞻性的核心技术与关键工艺战略，全球领先地实现了 8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，作为唯一拥有全电压谱系硅基氮化镓半导体产品量产能力的公司，英诺赛科的产品组合广泛覆盖低压消费电子产品至高压可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等领域。 02 全球氮化镓功率半导体之首 英诺赛科是 全球首家实现 8英寸硅基氮化镓晶圆量产的IDM企业， 公司 拥有全球最大的生产基地，月产能达 12,500片晶圆。2021年至2023年，公司 营业 收入复合年增长率高达 194.8%， 其 2023年收入达592.7百万元，市场份额 高达 33.7% 。 按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科稳居全球第一，市占率达 42.4%，累计出货量突破8.5亿颗大关。 英诺赛科采用 IDM模式，全程自主把控设计、制造与测试，技术领先，每晶圆晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。截至目前，公司拥有406项专利及387项专利申请，产品覆盖15V至1200V的低中高压应用场景，赢得广泛客户认可。凭借卓越的工艺与制造能力，英诺赛科晶圆良率超过95%，氮化镓产品全面解决方案成本已低于传统硅基方案，为客户提供极具竞争力的价格，进一步巩固其市场地位。 在消费电子产品领域， 公司 氮化镓解决方案能在相同成本下将 USB-PD充电器体积及重量缩减70%，或提升充电功率50%。在可再生能源领域， 其 氮化镓技术将能源利用效率提高 30%，同时减小太阳能发电站面积30%，并降低整体系统成本20%。英诺赛科对氮化镓技术的深耕细作与对品质的不懈追求，不仅铸就了其行业领先地位，更为第三代半导体时代的发展注入了强劲动力。 03 借力资本翅膀，翱翔国际舞台 此次赴港上市，将为英诺赛科搭建起国际舞台，提升其全球知名度与影响力，同时借助资本市场的磅礴力量，加速全球布局，推动技术创新迭代，持续引领氮化镓领域稳健发展，为第三代半导体时代的蓬勃进程贡献更强劲的动力。 说明：来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章不用于商业目的，仅供行业人士交流。发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我：Lucy（微信）18158225562

碳化硅作为第三代半导体材料，主要用于功率器件芯片以及射频芯片器件的制造。产业链架构与常规半导体产业链颇为相似，均涵盖衬底制备、外延层生长、芯片设计、芯片制造以及封装测试五大核心环节。 01 碳化硅衬底加工是降本增效重要环节 SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节。碳化硅衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%，合计约70%，后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。碳化硅衬底的晶圆加工过程主要分为切片、研磨、抛光和清洗。作为晶圆加工的第一道工序，切片质量对加工损伤及最终晶圆的质量具有至关重要的影响。因此，碳化硅衬底加工不仅是提升产品质量的关键，更是实现降本增效的重要环节。 02 碳化硅衬底切割技术 碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭按特定方向精准切割成晶体薄片的过程，旨在获得翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式的选择与切割质量的把控，对晶片的厚度、表面粗糙度、尺寸精度、材料耗损度以及生产成本等多个方面均产生显著影响。目前碳化硅晶锭切割工艺主要包括砂浆线切割、金刚石线切割和激光切割。 在国内市场，砂浆线切割技术虽广泛应用，但因其损耗大、效率低、污染严重，正逐步被金刚线切割或激光切割技术取代。砂浆线切割技术虽然可加工较薄晶圆（切片厚度<0.3mm），切缝窄且切割厚度均匀，材料损耗相对较小，但该技术存在切割速度低、磨粒利用率低、砂浆液难回收且污染环境的问题。此外，游离磨粒对钢线的磨削作用会导致晶片厚度不均匀，降低线锯使用寿命。 金刚石线切割技术通过将金刚石磨粒牢固地固结在切割线上，利用高速往返运动实现高效切割。其加工效率远超砂浆线切割数倍，但伴随着切口较大、表面粗糙度较高的问题，材料损失可高达46%，切缝宽度通常超过200μm。由于金刚砂与碳化硅（SiC）的硬度相近（莫氏硬度达9.5级，仅次于钻石），使得反复低速磨削过程既耗时又费力，且刀具磨损频繁。例如，切割一片100mm（4英寸）的SiC晶片就需耗时6～8小时，且容易产生碎片。 在降本增效的推动下，对碳化硅（SiC）晶锭的切割要求切出更多、更薄的衬底，同时随着晶圆尺寸向8英寸量产及未来12英寸的发展，切割工艺面临更严格的挑战。激光切割通过高能激光束照射工件，使局部熔融气化，实现非接触、无机械应力损伤的灵活加工，且无刀具损耗、水污染，设备维护成本低。以20毫米SiC晶锭为例，传统线锯可生产30片350微米的晶圆，而激光切片技术则可生产50多片，且由于晶圆几何特性更优，单片厚度可减至200微米，从而使单个晶锭的晶圆产量增至80多片。日本DISCO公司的KABRA激光切割技术，在加工6英寸、20毫米厚的碳化硅晶锭时，生产率提高了四倍。随着技术进步和SiC衬底尺寸增大，激光切割技术正有望逐步取代传统的金刚线切割和砂浆线切割。 03 碳化硅 激光切割 激光切割按照切割方式又可以分为水导激光切割、激光剥离、激光冷切割。 水导激光切割技术 （LaserMicroJet, LMJ），又称激光微射流技术，由瑞士Synova公司开发，利用高压水柱引导激光进行精确切割。该技术在大尺寸碳化硅晶圆切割上仍存技术瓶颈，但6寸以内已无问题。其优势在于切割质量高，端面粗糙度普遍小于Ra＜1μm，且切割速度快，薄晶圆切割速度可达200mm/s。国内哈工大、长春理工等高校正积极研发，目前可实现产业化的喷嘴为80μm。水导激光精度高（公差为+/-3µm），可切割任意形状，且适用于厚材料切割。 激光剥离： 激光剥离技术是一种高效的碳化硅晶片切割方法，它通过将激光垂直照射并聚焦到晶锭内部特定深度，使表面层发生改性，从而轻松从晶锭上剥离出晶片。与传统的线切割技术相比，激光剥离技术将切割时间大幅缩短至仅需17分钟，同时显著降低材料损失率，从根本上避免了锯口损失，使得晶片产出能提高44%，特别适用于大尺寸晶圆的切割。此外，该技术还省去了晶片研磨环节，有效节省了时间、设备和人力成本。 激光冷切割： 激光冷切割技术通过激光照射碳化硅晶锭形成剥落层，并利用聚合物冷却步骤将微裂纹处理为主裂纹，实现晶圆的无损分离。该技术具有显著优势：每片晶圆总切口损失小于100μm，SiC晶圆良率提高90%，原材料损耗大幅减少，产能提高近2倍，成本降低20%～30%。飞凌收购的Siltectra公司掌握的此技术，实现了半导体级20~200μm厚度的无损切割，英飞凌应用后单个晶锭芯片产量翻倍，良率提升至90%，成本显著降低。 此文来源未来产链，部分数据来源于网络资料。文章不用于商业目的，仅供行业人士交流，引用请注明出处。