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1、前言 在半导体和集成电路工艺中，材料、晶圆、芯片的测试是必不可少的环节。随着半导体测试技术的发展，数字源表SMU结合探针台的系统组合已经被广泛应用于材料/微小器件的电学特性验证中。数字源表SMU具备源测功能，可以产生电流-电压(I-V)特性曲线，是半导体材料、器件电性能表征测量的核心；探针台有手动、半自动和全自动三种，根据测试需要选择配套的产品即可。在选用时需要注意探针的材质以及针尖的直径与形状，探针材质不同，其阻抗也不相同；此外，探针尖磨损和污染也会对测试结果造成影响。 在测试时， 通过数字源表提供激励并对测量信号进行采集 。首先将电流或电压输入被测器件（DUT），测量该器件对此输入信号的响应；这些信号的路径为：源表的输出端接入电缆，电缆和探针连接，电流或电压信号通过探针至芯片。 图：SMU、探针、DUT连接示意 下文中，我们将探讨数字源表SMU和探针台的连接注意事项，以及不同材料/器件的测试应用案例。 2、数字源表SMU与探针台的连接 探针台与源表的连接常见有两种，一种使用同轴线连接，另一种使用三同轴线连接。当测量小电流(nA、pA)时，应使用三同轴转接模块和三同轴线缆。在接入源表保护端的测试电路中，由于三同轴的保护层与内芯之间是等电位，不会有漏电流产生，能够提高小电流测试精度。 图：三同轴线缆半剖图 （1导体；2绝缘；3内屏蔽层；4中间层；5外屏蔽层；6外护套） 图：三同轴线缆等效电路图 上图所示为三同轴线缆等效电路图，输出高端HI和Guard之间的电位差几乎为0，从而消除线缆自身的漏电流。 以下是使用普赛斯直流源表、脉冲源表、高压源表、大电流源表与探针台的接线说明： S系列直流源表 - 两同轴连接 - 使用香蕉头转BNC母头的转接头进行连接； - 三同轴连接 - 三同轴连接器与普通两芯连接器有所不同，可同时接驳信号、接地和屏蔽层，屏蔽效果好。和多芯线缆相比，三同轴线缆结构简单，可靠性高；和两芯同轴线缆相比，具有更高的屏蔽性能和小信号的传输能力。三同轴线缆的连接方式使用了GUARD信号，起到了屏蔽作用，更有利于小信号的测量。 P系列脉冲源表 - 两同轴连接 - 使用杜邦线转BNC母头进行连接； - 三同轴连接 - 使用三同轴转接模块进行连接。 E系列高压源表 - E100(1200V) - 直接使用三同轴线进行连接； - E200(2200V)/E300(3500V) - 将普通的三同轴更换为高压专用三同轴线； 高压三同轴接头的耐压能力较强，普赛斯使用的高压三同轴接头可以耐压3500V。 图：左-高压三同轴、右-普通三同轴 HCPL 100大电流源表 大电流测量时，单根探针容许的电流有限，电流过大可能会引起烧针现象，影响测试结果，因此需要使用多探针并联。 图：多探针并联示意 3、探针台与器件的连接 在不同的材料测试中可能会遇到共面电极或异面电极的材料。共面电极指阳极和阴极在同一平面；异面电极指阳极和阴极不在同一平面，常见为正反面。 图：共面电极连接示意 图：异面电极连接示意 4、测试注意事项 -探针台接地： 探针台结构上有很多金属，在带电的环境下会存在很强的静电，一般探针台会自带大地连接线，使用中将探针台接大地，避免释放静电给测试带来影响。一般地线分为两类：一种是工作接地，另一种是安全性接地。工作接地是把金属导体铜块埋在土壤里， 再通过导线引出地面，将导线接入设备的接地端口，形成接地回路。安全性接地是指使用探针台金属外壳自带的接地线进行接地，当探针台金属外壳发生绝缘损坏，外壳带电时，电流沿着其外壳自带的接地线接入大地，以达到安全的目的。 -连接线接地： 探针台的连接线为同轴线，两根同轴线的内芯是信号线，从而导致两根同轴线的外屏蔽层悬空，未起到屏蔽的作用，在磁场环境复杂的情况下会对测试产生较大的干扰。因此，为了获得较好的测试效果，需要将同轴线缆的外屏蔽层接入工作地线。 -关闭光源： 很多器件和材料对光源敏感，测试中如果不关闭光源会影响测试结果，所以测试时尽量在无光源影响的环境中进行。 -小电流测试时加屏蔽罩： 如果测试电流为pA级别，需要给探针台增加屏蔽罩。 -异面电极材料连接： 异面电极材料连接时通常会使用探针台Chuck盘做电极，但是Chuck盘的平整度会对材料的接触面有影响，那么此时就需要使用引电极。

亥姆霍兹线圈由一对完全相同的圆形导体线圈组成。采用直角坐标系，两个半径为 R 的圆形线圈的中心轴与 z 轴同轴。两个圆形线圈的 z 坐标分别为和。每个导体线圈都有相同的电流 I 。 设置可以减少两个线圈中心 O( 即原点 ) 的磁场不均匀性。这种动作促使，也意味着非零微分项目将在稍后详细解释这一论点。然而，在线圈平面与 Z- 轴交叉处与 O 点之间，磁场值的 7% 左右仍然会有所不同。 在某些应用程序中，亥姆霍兹线圈可以用来抵消地磁场，接近零磁场的区域。 使用亥姆霍兹线圈注意事项 : 当线圈未连接时，调整显示器 ； 慢慢转动手柄 ； 线圈通电电流不宜过大，时间不宜过长，以免烧坏线圈 ； 线圈通电时不要触电键，以免触电 。

深度剖析IGBT栅极驱动注意事项 IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。 图 1. IGBT 的等效电路 图 2. IGBT的导通电流 为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。这会使晶体管快速导通。因此，栅极电平被驱动得越高，集电极电流开始流动的速度就会越快。基极和集电极电流如图 2 所示。 图 3. IGBT的关断电流 关断场景有点不同，如图 3 所示。当 MOSFET 的栅极电平被拉低时，BJT 中将没有基极电流的电流路径。基极电流的缺失会诱发关断过程；不过，为了快速关断，应强制电流进入基极端子。由于没有可用的机制将载流子从基极扫走，因此 BJT 的关断相对较慢。这导致了一种被称为尾电流的现象，因为基极区中存储的电荷必须被发射极电流扫走。 1 kW) 电路。谐振拓扑最大程度降低了开关损耗，因为它们要么是零电压开关，要么是零电流开关。 较慢的 dv/dt 速率可以提高 EMI 性能（当涉及这方面问题时），并在导通和关断转换期间减少尖峰的形成。这是以降低效率为代价的，因为此时导通和关断的时间会比较长。 MOSFET 存在一种称为二次导通的现象。这是由于漏电压的 dv/dt 速率非常快，其范围可以在 1000–10000 V/us 之间。尽管 IGBT 的开关速度通常不如 MOSFET 快，但由于所使用的是高电压，因此它们仍然可以遭遇非常高的 dv/dt 电平。如果栅极 电阻 过高，就会导致二次导通。 图 4. 带有寄生 电容 的IGBT 在这种情况下，当 驱动器 将栅极电平拉低时，器件开始关断，但由于 Cgc 和 Cge 分压器的原因，集电极上的电压升高会在栅极上产生电压。如果栅极电阻过高，栅极电压可升高到足以使器件重新导通。这将导致大功率脉冲，从而可能引发过热，在某些情况下甚至会损坏器件。 该问题的限制公式为： 其中， ● dv/dt 为关断时集电极上电压波形上升的速率 ● Vth为栅极的平台电平 ● Rg为总栅极电阻 ● Cgc 为栅极-发射极电容 应注意，数据表上的 Ciss 是 Cge 和 Cgc 电容的并联等效值。 类似地，Rg 是栅极驱动器阻抗、物理栅极电阻和内部栅极电阻的串联和。内部栅极电阻有时可根据数据表计算出来。如果计算不出来，可通过以下方式进行测量：使用 LCR 电桥并使集电极-发射极引脚短路，然后在接近开关频率的频率下测量等效串联 RC。 如果使用的是 FET 输出级，则可以在其数据表中找到驱动器阻抗。如果无法在数据表上找到，可通过将峰值驱动电流取为其额定 VCC 电平来进行近似计算。 因此，最大总栅极电阻为： 最大 dv/dt 是基于栅极驱动电流以及 IGBT 周围的电路阻抗。如果将高值电阻器用于栅极驱动，则需要在实际电路中进行验证。图 5 显示了同一 电机 控制电路中三个不同 IGBT 的关断波形。在此应用中，dv/dt 为 3500 V/s。 图 5. 三个IGBT的关断波形 对于该情况而言，IGBT #2 的典型 Cgc 为 84 pF，而阈值栅极电压为 7.5 V（在 15 A 的条件下）。 利用上述公式，该电路的最大总栅极电阻为： Rg < 25.5 Ω。 因此，如果内部栅极电阻为 2Ω，驱动器阻抗为 5Ω，则所使用的绝对最大栅极电阻应为 18Ω。实际上，由于 IGBT、驱动器、板阻抗和温度的变化，建议采用一个较小的最大值（例如 12Ω）。 买电子元器件现货唯样商城 图 6. 等效栅极驱动电路 去除外部栅极电阻器可能会获得最佳的高频性能，同时确保不会发生二次导通。在某些情况下，这可能会起作用，但也可能由于栅极驱动电路中的阻抗而导致振荡。 栅极驱动电路为串联 RLC 谐振电路。电容主要源于 IGBT 寄生电容。所示的两个电感则源自 IGBT 和驱动器的板走线电感与焊线电感的组合。 在栅极电阻很小或没有栅极电阻的情况下，谐振电路将会振荡并造成 IGBT 中的高损耗。此时需要有足够大的栅极电阻来抑制谐振电路，从而消除振荡。 由于电感难以测量，因此也就很难计算适合的电阻。要最大程度降低所需的最小栅极电阻，最佳方案是采用良好的布局程序。 驱动器与 IGBT 栅极之间的路径应尽可能短。这适用于栅极驱动的整个电路路径以及接地回路路径。如果控制器不包括集成驱动器，则将 IGBT 驱动器置于 IGBT 的栅极附近要比将栅极驱动器的输入置于控制器的 PWM 输出端更为重要。从控制器到驱动器的电流非常小，因此相比从驱动器到 IGBT 的高电流和高 di/dt 电平所造成的影响，任何杂散电容的影响都要小得多。短而宽的走线是最大程度降低电感的最佳方式。 典型的最小驱动器电阻范围为 2Ω至 5Ω。这其中包括驱动器阻抗、外部电阻值和内部 IGBT 栅极电阻值。一旦设计好板的布局，即可确定并优化栅极电阻值。 本文给出了最大和最小栅极电阻值的指南。在这些限值之间有一个取值范围，藉此可以对电路进行调谐，从而获得最大效率、最小 EMI 或其他重要参数。在电路设计中取一个介于这些极值之间的安全值可确保设计的稳健。 参考文献 《 Power Semiconductor Device s》（功率半导体器件），B. Jayant Baliga，P WS Publishing Company，Boston。ISBN 0−534−94098−6

1、焊接方面 产品设计上，能够接受同样的标准回流焊温度与多数其他电子元件相同，但是假如回流温度超过规范允许，晶体在性能方面可能会有所损失，避免在指定的温度下焊接，一定要在合适的温度下进行。 2、清洗方面 通常 晶振厂家 的清洗解决方案或超声波清洗可用于清洁晶振，但还是建议进行验证试验。调谐叉晶体谐振频率附近的超声波清洗机的清洗频率接近，因为这可能会出现共振的情况。所以说，超声波清洗机清洗音叉晶体的使用要小心，应用超声波清洗后，要对最终产品的性能实施测试，从而了解晶体的功能。 3、防冲击 在设计彩色显卡晶振晶体的时候，一定要注意抵抗冲击，假如产品受到过多的冲击或被丢弃在地面上，一定要检查使用前的任何损害。 以上就是一些关于晶振使用方面的注意事项，充分的注意这些，才能够更好的去使用晶振

年底快到了,各位兄弟姐妹该倾巢而出去向那些欠债大户要债了. 才开公司的那几年，生意膨胀的很快,资金总是不够用,所以每到年底我就周游列国，到处去讨债. 有一年那叫一个惨烈啊,快两个礼拜过年的时候收到了两张承兑汇票,总算没白跑,兄弟姐妹们的奖金有着落了. 还没高兴过来我们的财务就发现问题了,拿到银行去果然不给贴现，由于背书印章还有公司名字书写的问题，都要去开证明。 难过的是这两张票都是转手了很多次，需要出具证明的那两家公司我们都不认识,只能找客户去联络了，结果因为是客户的客户的客户的问题， 所以他们也无能为力了.其中一张金额小的找到了那家公司财务的联络办法后，挺顺利，正好有个同学在那个地方，跑了次事情 办好了。 最要命的是另外一张承兑，是一家建筑公司开的（搞不懂我们这个行业和电子公司居然能挂上钩），光找到联系方式打了不下100个电话,结果对方要求一定去人才能给办。 没办法派了个兄弟去，当天就弄完了，兄弟还特意提醒我，办好的时候给人家要求买几条烟，要报销啊. 结果拿回来那个证明和正本的票据的章子一对，私章根本不是一个章子，字体都不同。 这个时候离过年就一个礼拜了，我只能亲自上阵了，没有机票，搞了个火车站票摇摇晃晃15个小时到那个城市了。 到的时候凌晨4点,所有的宾馆都爆满，零下6度我跑了一个小时也没找到住的地方，说是人大代表这几天在开会。 还好有个温馨的电话过来关心了一下我到地方没有，这是我这辈子接到的最温暖的电话了. 没办法，找了个网吧凑合了两个小时,8点准时去这家公司上班了.进去就傻眼了，这公司不大，保安怎么这么多，黑压压一片。 到了财务室我才明白了，工人兄弟们都在吵架啊，声音那叫一个大，我根本就插不上号. 左溜溜右找找，找到他们管财务的副总办公室了，直接就冲进去了。 这个家伙倒是爽快，说让我下午去，他给我办，大过年的让我跑一趟很不好意思~~~那个话真叫一个甜啊. 下午2点我准时去报到，这个副总让我拿出承兑的扫描件，一看章子，他说没问题啊，我说真的有问题，于是打开电脑放大了下给他看。 这下他没话说了，哦~~~~~~~~~装出一副突然醒悟的表情，告诉我说，他们确实有这个私章，但是在300公里以外的建筑工地上。 说让我明天下午再来，他让人送回来。 没办法，只能走出了这个公司，刚出门我就感觉到自己好像不得要领啊，于是买了两条烟再跑过去找他。 他说小老弟，不是我为难你，确实要把章子给你调回来，明天下午你来再给你办，我只能把烟给他留下等待第二天了。 快下班的时候还特意打了个电话邀请他出来坐坐，他说这几天很多饭局，实在没时间。 到了第二天下午我去了后，这个所谓的副总又和我要很多证明，说让我们的银行开证明要求他们出证明他们才出,该开就开吧，又耽搁了一天。 最后证明终于是开给我了,公司的妹妹给我定了张机票，幸运啊，还有票，那个飞机也就能坐40来个人，这辈子坐过最飘的飞机。到家刚好年三十。 我衷心的希望房价赶快降下来吧，让这家建筑公司日子不要太好过了，让我这个惨痛的经历能得到一点暗爽。 自那以后我们的财务见了承兑汇票字都不会写了，而且晚上会做噩梦的，呵呵。在此提醒各位啊，收承兑汇票要注意以下几点: 1) 最好是一手票，实在没办法转两手的也行,但转很多手的那种收之前最好确认下背书印章等; 2) 如果收票后拿回来是要贴现的，注意出票行一定要是大银行，有些很小的地方银行出票的银行不给贴现; 3) 如果在银行贴现，金额通常都要在50万或者100万以上，小额的他们怕麻烦； 4） 最好看看自己有没有供应商能收承兑的，直接转手给他们更方便些; 5) 注意大额的承兑银行的利息是可以谈的，最好多问几家银行; 6) 要背书给别人的时候一定要小心啊，建议财务章和私章都找好点的料子来刻，缺一块就要出证明了； 7） 如果你是第一次收承兑汇票准备贴现，那事先去人民银行办好贷款卡； 8） 如果客户是第一次付承兑给你，能顶的住尽量不要收，哪怕等一个月收现汇最好，要知道有第一次以后可能都是承兑; 9） 万一出现问题需要开证明首先找上家去联络,注意证明的格式要和银行确认好； 10）注意承兑有商业承兑和银行承兑，我们一般都说的是银行承兑，商业承兑不要收，收了没什么用。 对各位有点用处的话就顶一下! 多谢了！