tag 标签: 闪存

相关帖子
相关博文
  • 热度 2
    2019-11-14 15:19
    1428 次阅读|
    1 个评论
    车内存储装置之突发断电的测试与验证
    百佳泰/Richard 近年来随着越来越多的电子产品被整合到汽车舱内和引擎盖下,汽车内的电子产品也逐渐进步到联网汽车、先进驾驶辅助系统(ADAS)、GPS导航,以及功能丰富的信息娱乐系统。其中汽车存储装置将会是未来汽车产业中不可或缺的一项关键零组件。举例来说,它不仅适用于存储数据也支持现代汽车系统的高速运算。此外,当自动驾驶汽车中的传感器数量、传感器的相应分辨率、网络带宽逐渐扩大时,庞大的数据量使用量将以GB/s起跳。 以下例子时常发生在我们的生活当中,但我们曾不察觉:在一天之内启动/关闭车辆电源数次,然而在这种情形下我们可能不会意识到突然关闭电源可能造成数据遗失的严重性。NAND Flash的设计则起到了恢复作用,它能妥善避免电源关闭的突发状况(Suddenly Power off, SPO),并可在状况发生后迅速恢复资料。由于经常性的启动/关闭电源会直接影响快闪存储装置的存放与恢复,因此成为了Flash制造商与车商最为关注的要点。 SSD 控制器(Flash Translation Layer,FTL)可维护各种元数据;例如,数据对应表、快闪页面实体状态的信息、以及错误区块信息。而厂商所需面对的课题便是克服Flash的数据在突发断电后在正确区块做读写并能妥善存留。此外,SSD控制器在主存储器的“快取”功能也相对重要,它能定期或在系统关机时同步至闪存,确保用户数据与SSD元数据间的一致性。 现行常见的车内存储装置有分成以下几种: 正常断电与数据回写的过程: 如果侦测到电源中断,SSD会将所有快取的用户数据和元数据倾印至NAND闪存,SSD甚至可以保护DRAM中的用户资料,避免SSD在开启快取时突然关闭电源(通常情况下,数据会受到保护的所有作业周期)。假使汽车每天进行数次的开/断电动作,如果没有做好一定的保护, SSD数据就会出问题。 Source: Viking Technology Cap: Capacitor FTL: Flash Translation Layer 百佳泰案例分析 厂商将SSD提供给“数字警察”执法使用,目的在于纪录影像数据与搭配系统OS,并将其整合放置于警车内的AI智能系统。根据客户在连续使用数月后的回报系统中发现无法正确记录/读取SSD的数据数据。 Source: NYPD traffic enforcement 使用环境 不论厂商设计的是哪一种存储装置,汽车产业与其他市场应用需求有较明显的差异。以NVM(Non-Volatile Memories)来说,最明显的是工作温度(介于-40° C至+150° C的环境)。而从上述的案例中我们分析因汽车在每天有多次的开关电源动作,导致备用电池故障并造成系统中的SSD数据损毁。 由于系统电池损坏,操作系统在引擎电源关闭后造成无法正常关机。此外,意外发生的断电损失期间,传输中的数据因无事先通知SSD,导致无法有效存储或刷新到闪存。通常碰到这类型的情况,储存在 SSD 中的数据不会正常更新,并可能会导致数据不兼容、数据损毁,甚至装置故障等问题。 一站式SSD验证测试服务尽在百佳泰 因应上述案件及百佳泰多年累积的测试经验,我们设计了一套流程可以验证SSD数据正确性,除可必免不必要的事故外,也能确保您的产品质量并符合消费者期待。 用例: 从以下样品的测试报告中我们可以发现 建议: · 汽车停放室外,温度可能会高于80度,会造成电池和 NAND 老化。 · 好的车用SSD中的控制器,FTL要能妥善处理断电数据保存机制。 · SSD中的超级电容是防止突然关机的重要组件,也是汽车存储的关键零组件。 · 汽车开机是日常工作流程,汽车SSD厂商应提供与车辆同等的保固周期。
  • 热度 1
    2015-9-7 10:41
    329 次阅读|
    0 个评论
    今天基于闪存的门阵列不仅是一系列可配置的系统门,还包括了许多其它专用功能,可以缩减系统设计时间、提高逻辑利用率、降低系统成本和功率,并且在提供与可配置逻辑中实施的同等的功能时,提供更好的性能。预定义的专用功能块保留了基本的FPGA逻辑资源,并且在某些情况下,可实现一些不可能由FPGA中的逻辑模块来构建的功能。 为何使用闪存工艺? 在许多应用中,基于SRAM的FPGA器件也能够提供与基于闪存的FPGA相似的特性和功能。然而,由于这些FPGA使用SRAM单元来保持配置模式,当电源消失时,配置模式也消失了;在电源恢复时,系统必需重新载入配置模式,通常经由一个串行接口,这可能要花数十或数百毫秒的时间。 另一方面,在基于闪存的FPGA中,配置模式保存在芯片上的非易失性存储器单元,甚至电源被移除时,闪存单元中的内容仍然保持完好无缺;当系统重新启动时,FPGA可在数微秒内上电,节省了宝贵的时间,可让系统快速从电源故障或者重新启动中恢复。 过去,基于闪存的FPGA在密度、性能和片上特性,比如处理器内核、高速I/O通道和其它需要高密度的功能方面,也都落后于基于SRAM的器件。这种落后主要是由于缩减闪存单元的所需的挑战,通常闪存单元需要的尺寸超过了芯片上其余SRAM逻辑组件。更大的尺寸带来更低的性能,并且无法在FPGA上集成高性能处理器内核和其它功能。 然而,工艺技术的进步现在可让FPGA设计人员缩减闪存配置单元的尺寸,并且将它们集成进先进的逻辑工艺中,推动基于闪存的高性能FPGA提供不下于SRAM FPGA,甚至更加优越的特性和功能,并且通常具有更低的系统成本。此外,由于无需外部配置存储器,基于闪存的阵列器件具有更小的系统占位面积,并且消耗更少功率。 闪存技术已从专用工艺变成了主流工艺,使得基于闪存的FPGA器件可以在成本敏感的市场上进行竞争,同时提供超过150K LE的逻辑密度(图1)。闪存FPGA的集成功能还提供了可以帮助减少系统复杂性、降低系统功率和减少总体系统成本的系统级解决方案。 图1: 具有最高150K LE的FPGA有着许多市场机会,范围从大约3亿美元的国防和安全市场以至5亿美元的综合有线和无线市场 图 2 简明比较了闪存 FPGA与相近密度SRAM FPGA器件之集成特性。 图2:闪存FPGA与 SRAM FPGA的集成特性比较 (用于少于150K LE的器件) 虽然,基于闪存的 FPGA和同等密度的基于SRAM的 FPGA有许多共同之处,但除了闪存或SRAM配置性的不同之外,两者之间还有许多显著的特性区别,主要是I/O引脚的数目、SERDES通道的数目,以及基于闪存的 FPGA加入了高性能存储器子系统及嵌入式安全功能,包括AES256 或 SHA256加密/解密功能。 对于中等密度范围器件,设计人员在特性、I/O引脚,以及封装选项方面拥有丰富选择,能够满足任何一个系统需求。然而,不同的产品系列提供不同的特性组合,因而没有一个产品系列可以解决每一个系统需求。对于帮助设计人员降低系统复杂性的嵌入式系统支持功能,也有同样情况。许多基于闪存和基于SRAM的 FPGA器件均拥有相同的功能,比如PCIe端点、SRAM模块、DSP模块(可配置乘法器-累加器功能)等片上功能,以及可编程的逻辑模块。 然而,更多的独特功能,比如嵌入式处理器、存储控制器、多千兆位/秒SERDES端口,以及专用的数据保密/解密支持,则限于个别器件。 有功和待机模式下的功耗,通常是选择FPGA的决定性因素,尤其是如果最终系统必需在低功率模式下运作,或者在停电时必需以备份电池工作尽可能长的时间。 下一页: 功率需求 本文来自《电子技术设计》版权所有,谢绝转载。 功率需求 图3显示了FPGA器件在系统启动和连续工作期间的不同运行模式。对比基于SRAM的FPGA器件,基于闪存的器件提供了诸多的节能优势,这是由于它们无涌入功率和配置功率,因此能够以显著低于SRAM FPGA器件的运行功率运作。 图 3: 功率考虑因素:SRAM FPGA对比闪存 FPGA 不断增长的连接性迫使设计人员更努力保持系统安全性,以防止黑客攻击及提供经由互联网与其它系统安全通信的能力。 然而,一个系统一旦连接至互联网便会成为黑客的目标,黑客可能会试图通过下载新的配置数据来损坏系统。为了防止这种情况发生,现在一些FPGA器件加入了安全子系统,确保仅有获授权的配置代码或控制程序会被载入和执行,这个过程称作“安全启动”。现在一些内置对策可防止物理攻击,比如防篡改和存储器的归零化,基于闪存的FPGA器件可以使用片上的安全快闪存储来保密密匙和关键数据。 今天的FPGA器件可以加入硬线系统安全模块以执行NIST认证的 AES256、SHA256和椭圆曲线加密算法,以期提供实时加密/解密。此外,还可以加入随机数发生器和物理不可克隆功能(PUF)。PUF可以用于在公匙基础设施(PKI)方案中生成私匙,仅为设备知晓,从而简化用户密匙管理;当然,随机数字也广泛用于密码协议。今天以安全为中心的SoC FPGA可以仅由获授权的加密位流来编程。某些设计人员会集成行业标准微控制器和子系统与内置安全功能。 今天FPGA器件的许多其它特性为网络和数据通信市场应用提供了系统解决方案。例如,加入片上每秒5千兆位SERDES端口和多个PCIe串行接口以作为高带宽接口,用于XAUI/XGXS和其它高速网络接口等应用。通过加入足够的通用I/O引脚,今天的FPGA器件还提供了必需的I/O引脚与内核逻辑比率,从而确保设计人员无需选择超过需求的尺寸较大FPGA器件来获得更高的I/O数目。最终,充足的静态RAM和嵌入式非易失性存储器(至少5兆位SRAM和4兆位eNVM)为设计人员提供了充足的存储以保存寄存器文件、高速缓存和缓冲存储,加上集成DSP模块,可让FPGA器件实施复杂的信号处理算法和网络协议,处理数据包检查,以及其它网络功能。 基于闪存的FPGA提供了广泛的功能,可让设计人员创建高集成度系统解决方案以降低系统成本、最小化印刷电路板面积和功率需求,并且提供超过SRAM FPGA的性能优势。 本文来自《电子技术设计》版权所有,谢绝转载。
  • 热度 2
    2014-9-26 15:23
    659 次阅读|
    0 个评论
    日前,在工业计算机及嵌入式系统展(IPC EMBEDDED EXPO 2014)上,工业用SSD( 固态硬盘 ) 制造商宇瞻科技(Apacer)展示了多款创新产品,包括全球首创结合移动设备的实时监控软件SSDWidget、仅5mm厚度的超薄型工业用固态硬盘、 可浸泡于水中的无缝式防水SSD、Boot Protect安全指令,以及通过UrKey双头U盘钥匙即可启动安全机制的创新技术,以及首款结合DRAM与SSD的Combo SDIMM。 图1:宇瞻科技展台 宇瞻科技总经理张家騉介绍说,宇瞻科技于1997年4月在台湾成立,目前全球员工大概500人。2013年该公司营收为3.26亿美元。该公司97 年成立时只做内存,98、99年利润都有振荡,宇瞻内部管理阶层认为只做内存对于公司的长期发展并不健康,从而拓展到闪存行业。因此,宇瞻做嵌入式产品非 常早,和SST合作开发了很多产品。02年的时候宇瞻做了应用的整合,开发了存储式的方案和设备,比如随身烧、随身存(U盘),但是这些产品并不是太成 功,原因是虽然这些设备在市场上已成熟,但在客户方面的使用上却不成熟。07年,该公司嵌入式SSD在工控领域占据了全球第一位。去年,宇瞻希望从存储创 新应用及增值服务,把这些方案给整合好。同时,也希望有很好的销路把它们销售出去,因此宇瞻在全球多个地方创建了分公司。 图2:宇瞻科技总经理张家騉 宇瞻目前有四大产品线:嵌入式产品、电脑相关产品、移动外围产品以及创新应用产品。 图3:宇瞻科技四大产品线 存储器市场变化很大,内存、闪存从上游供给端到下游需求端每天都在变化。DRAM每天的价格和股票永远相差不多,影响DRAM行情的因素包括利多和 利空两方面。利多因素有:供给寡占;2014年原厂产能规划保守,且无增产计划;PC出货全面上扬;以及服务器和高端电脑需求持续走高等。利空因素有:海 力士火灾后,复工情形虽多次出现问题,但预期第三季度终将恢复正常产出;过高的价格,可能导致装机规格下降;价格走高,成本增加,降低市场流动性。 iPhone 6即将发布,苹果公司把移动DRAM、MLC Flash的量都吃光了,上游厂商把所有的制程都挪去做移动DRAM。因此,目前PC DRAM、服务器DRAM严重不足,但下半年市场会好一点。 图4:DRAM行情趋势 现在是DDR3的天下,宇瞻在DDR1、DDR2的市占率还是很高。现在的主流是DDR3 1600,再往后是DDR3 1866,再是DDR4 2133。容量从2Gb(256Mb*8)到4Gb(256Mb*16)再到8Gb(512Mb*16)。L——低电压,RS——Reduced Standby,耗能很低,尤其是在服务器上。 另外,在闪存供应链方面,三星的成长力道将主要来自企业级固态硬盘的出货,该 公司西安厂在今年5月正式投片,主要生产3D NAND。三星已经开始进行产品测试,为同业中进度最快的厂家。东芝下一代19nm(A19)产品已经开始出货,今年下半年将推出采用A19 TLC的eMMC,eMCP和SSD相关产品,其半导体五厂预计明年第一季度开始生产1z纳米及3D NAND Flash。 新 美光集团的整合完成将带动移动闪存的竞争力。其新加坡DRAM厂转向Flash,将拉高美光在Flash的出货比重。16纳米L95B产品已产出送样,将 成为2015年主力产品。海力士在无锡厂火灾后,挪移的Flash产能已经陆续恢复正常。其16nm工艺开发在第二季度加速,预计在年底达到70%的比 重。 随后,宇瞻科技eFlash高级产品经理林志亮主要针对嵌入式SSD做了讲解。他介绍说,SSD最开始是用在战斗机上,最初只有1GB。SSD的定义是,不管它的接口和形状如何,只要是把操作系统放在模块上面,就称之为SSD。 图5:宇瞻科技eFlash高级产品经理林志亮 市场研究机构Gartner将SSD分为五类:入门级SSD,主要用于入门级的便宜的笔记本上,如EEE PC;主流PC SSD , 用于追求高速和高可靠性的笔记本电脑和桌上型电脑上;企业服务器SSD,针对企业中需要高容量、速度和可靠性的数据库市场;企业存储SSD,针对需要高于 1TB存储容量SSD的高端数据库;工业级SSD,主要针对工业领域的利基市场,例如军用(通信、安全设备、**和NB)、航空和医疗(ECG、生命维持 系统、监控和自助服务机)等。Apacer已经连续两年是全球前十大的主流PC SSD的供应商。 宇瞻科技在展会现场展示了 一款高度稳定的超小型固态硬盘——μSDC-M Plus,拥有64GB的高容量与510MB/s的高读取性能,提供大储存空间且让数据传输更具效率;而宽温(-40℃~+85℃)及SMT安装的特性让 即使处于高空中的观测与摄影,都将提供最稳定的储存优势。目前该产品已获美国国际大厂青睐,成功导入到高空无人飞行器的应用中。 林 志亮强调说,μSDC-M Plus独特的创新设计经由BGA156封装技术,将控制器/Flash与相关元器件都集成在单一芯片,缩小尺寸达到16mm x 20mm x 1.4mm,约一枚美金硬币大小。同时,其采用了SATA 3 6Gb/s接口,最大容量达64GB。相较于市场上同性质产品厚度多半仍介于1.4mm~2mm之间,μSDC-M Plus体积尤为迷你。且该储存器件还符合JEDEC MO-276规格,能让主板配置大幅精简,促成客户终端产品在讲求轻薄的时代更为轻盈。 其 次,μSDC-M Plus连续读取速度最高为510MB/s,也优于其他市场上同性质产品表现,甚至能超越一般2.5” SSD的产品速度,兼具小体积与高速的双重优势,可加快数据传输的速度。在可靠性上,μSDC-M Plus可承受宽温范围达-40℃~+85℃,能耐极低温和抗高温,并使用SMT安装技术,能耐震防脱落,符合航拍在高空中严苛气温及遭遇不稳定气流的飞 行环境。此外,该产品支持NCQ指令,得以同时提升整体性能和使用寿命。其通过TRIM Command与72b/1KB ECC,协助性能表现与耐受程度最佳化,为最耐用的储存器件。 今年Computex上曝光的Combo SDIMM产品,采用SSD与DRAM集成到DRAM模块上的创新研发设计,为嵌入式工业电脑厂商的主要客户族群增加一个新的储存选择,得以更精简储存器 件与内存模块在主板上所占用的空间,方便使用者弹性扩充SSD储存容量。目前,其共提供两款SSD产品,包含M.2 NGFF与CFast存储卡,均支持SATA 3.0(6Gb/s)接口,为储存器件的一大突破。 其中,M.2 NGFF模块化固态硬盘是Intel专为平板、Ultrabook及瘦客户端打造的新一代SSD接口标准,完整名称为“M.2 NGFF(下一代外形尺寸)”,单面厚度仅2.75mm,无机构干涉问题。目前,用于Combo SDIMM上配置的M.2 NGFF共分为2242/2260/2280三种,可供客户依需求选择。其中,2280最高容量可达到256GB。CFast 存储卡为符合CFast 2.0规范的固态硬盘,最高容量为128GB,可依需求弹性更换容量,方便使用。 此外,由于Combo SDIMM内存模块采取标准DDR3接口标准240引脚设计,仅需外接SATA信号连接线即可使用,不必特别更换主板。其利用DRAM模块DIMM的 VLP DIMM矮板(高0.738英寸)PCB设计,增加板高并提供M.2或CFast插槽,且无需再外接SSD电源,减少电源线连接。而产品拥有耐震、低噪声 与低功耗的物理优越特性,大幅提升产品可靠性,适合各种嵌入式设备所采用。 图6:3个UrKey分别对SSD进行擦除、销毁和写保护操作 图7:纳米镀层使产品能够防水、防腐蚀
  • 2014-9-26 15:17
    928 次阅读|
    0 个评论
    日前,在国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China 2014)上, 旺宏 (香港)有限公司总经理谢浩纬(图1)于 汽车电子 论坛发表了演讲。他指出,在非易失性 存储 器(NVM)技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,这就需要新的技术来替代。旺宏目前在研发的用于未来NVM的技术有三种:垂直栅极(VG) 3D NAND、PCM(相变存储器)和ReRAM(可变电阻式存储器)。 图1:旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬。 据介绍,旺宏电子是一家领先的NVM解决方案供应商。该公司于19***在台湾新竹成立,迄今已有25年时间;目前共有5531项专利,4693名员工(19%为研发设计人员),去年营收为7.4亿美元。旺宏主要NVM产品包括ROM、NOR闪存和NAND闪存三大类。 去 年,该公司NOR闪存的市占率达到了15.1%(今年可达18%),串行NOR闪存为29.4%,传统的ROM产品(主要应用在游戏机上)为90%。去年 的出货量达16.8亿,主要的增长来自智能手机和汽车电子。消费类电子仍是旺宏的重头市场领域,汽车电子和工业电子还有很大的提升空间。 目前,旺宏主要是和领先的芯片组提供商和系统提供商在做紧密合作,这样可以在前期了解到最新规范的制定,从而将其设计到产品中间。 2009 年,旺宏CEO兼董事长吴敏求在公司内部提出要向汽车电子领域拓展,希望将最好品质的产品提供给汽车方面的客户。旺宏于2004年通过了TS16949规 范,同时也是AEC的成员。目前其产品都是符合AEC-Q100规格的产品,并且力求做到零缺陷率。旺宏在全球多个国家和地区都有设点,这对于解决汽车电 子问题非常有益。另外,旺宏汽车电子芯片组在导航、DAB模块、音频及高清射频、仪表盘、ADAS、信息娱乐、后视摄像头等方面都得到了认证(图2)。 图2:旺宏汽车电子芯片组认证。 在路线图方面,旺宏NOR闪存目前的工艺为55nm,并将在2017年转移到42nm;在2017年,SLC NAND闪存的工艺也将由目前的36nm转变到2xnm。 谢 总告诉笔者,旺宏全系列闪存产品的电压规格涵盖5V、3.3V、2.5V和1.8V;串行NOR闪存容量从1Mb到1Gb(电压规格为3.3V、 1.8V),并行NOR闪存的容量从8Mb到1Gb(今后也将有2Gb~8Gb的产品,电压主要为3.3V),NAND的容量范围则为 512Mb~8Gb(图3)。另外,产品的温度范围可达-40℃~125℃。 图3:旺宏并行和串行闪存系列,提供USON、WLCSP等极小封装,并可提供裸晶KGD与芯片组搭配。 在 半导体技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,目前业界在研发的替代性技术主要有电荷捕获型(Charge Trapping)存储器、相变存储器(PCM)和ReRAM(可变电阻式存储器)三种。旺宏在三种技术上都有研发,该公司垂直栅极(VG) 3D NAND技术被称为BE-SONOS(带隙加工硅氧氮氧硅),目前已有研发出512Mb MLC规格的产品,并且在三年之内有望量产。ReRAM技术,其好处是速度快、功耗低,适合于物联网/可穿戴应用。PCM技术,它可以实现非常小的PCM 单元,具有低延迟、高耐受特性。 与消费类电子不同,汽车电子对可靠性要求很高,旺宏会对用于汽车电子用存储器的多道生产工艺 进行严格控制,确保为汽车电子提供最好的产品。同时,在客户产品出现问题时,为客户提供最快速的服务也非常重要。另外,旺宏开发的用于工程数据分析的 sNOVA智能系统,可以在产品出问题的时候快速排查出问题所在。 最后,谢总补充说,旺宏有自己的工厂,可以做产品的演进, 并保证长期的供货。同时,在可靠性测试方面,由于有自己的工厂,旺宏不像其他设计公司那样通过代工厂来做,而是自己做测试。旺宏最早的客户主要在日本,在 尼康和佳能单反相机中,该公司产品的市占率大约在一半左右。因此,在品质的保证上,旺宏非常有信心。
  • 热度 2
    2013-1-6 16:03
    310 次阅读|
    0 个评论
    英国研究人员最近报告说,他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备,与现在 广泛使用的闪存相比,耗电量更低,而存取速度要快上一百倍。电阻性记忆体的基础是忆阻材料,这种材料的特殊性在于,在外加电压时其电阻会发生变化,随后即 使取消外加电压,它也能“记住”这个电阻值。 在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能,是业界近来的研发热点。但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。 英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说,他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料,相应存储设备可在常规环境下运行,因此应用价值大大提高。 研究人员安东尼·凯尼恩说,这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一,而其存取速度是闪存的一百倍以上。闪存现在已成为人们随身携带的U盘、数码相机、手机等设备中广泛使用的存储设备。   据介绍,这项成果与科学史上许多发现一样都是源于意外。研究人员最开始是在用硅氧化物制作发光二极管,但在实验过程中出了故障,发现所用材料的电学性质变得不稳定了,检查之后发现它们电阻在变化,原因是已经变成了忆阻材料,于是正好把它们转用于研发新型存储设备。
相关资源
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-11-19 16:58
    大小: 194.85KB
    上传者: zendy_731593397
    s3c2440a开发手册闪存部分
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-9-20 00:52
    大小: 5.57MB
    上传者: bwj312
    MICROCHIP_存储器产品-串行EEPROM•串行SRAM•NOR闪存
  • 所需E币: 0
    时间: 2020-8-26 16:50
    大小: 1.17MB
    上传者: 指的是在下
    MLC型NAND闪存中Polar码的优化设计
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-26 01:18
    大小: 85.57KB
    上传者: rdg1993
    如何从应用系统代码向闪存写数据……
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-28 23:52
    大小: 57.5KB
    上传者: givh79_163.com
    MAX1464是一款高性能、低成本、低功耗、多通道、基于微处理器的数字式传感器信号调理器,该器件还集成了闪存和温度传感器。本文给出了用户可能提出的各种各样的问题和疑问,并针对每个问题给出了简短的回答。若想得到更深入的解答,用户可参考MAX1464数据资料以及该产品的其他相关公开资料。另外,Maxim的技术支持小组也是一个很有益的资源,从他们那里可以获得这里或其他相关资料中无法得到的答案。……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-25 12:35
    大小: 285.97KB
    上传者: 978461154_qq
    使用NAND型闪存(Flash)作为存储介质,而使用与硬盘完全一致的ATA接口作为设备接口的固态盘(SolidStateDisk,SSD)是一种全新的存储设备.本文介绍一种基于NiosII的SOPC系统的固态盘设备系统实现方法,给出一种可行的系统结构,包括硬件系统以及软件中内部数据缓存策略、闪存擦写/存储策略的模块化实现方式,并给出具体的实现细节.……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-24 19:39
    大小: 316.71KB
    上传者: 978461154_qq
    闪存编程手册本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准PM0042编程手册STM32F10xxx闪存编程简介本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存储器。为方便起见,在本文中出特别说明外,统称它们为STM32F10xxx。STM32F10xxx内嵌的闪存存储器可以用于在线编程(ICP)或在程序中编程(IAP)烧写。在线编程(In-CircuitProgramming……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-24 17:47
    大小: 284.08KB
    上传者: 二不过三
    PIC闪存和EEPROM编程……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-24 14:59
    大小: 1.23MB
    上传者: rdg1993
    当任意一个电源电压低于其阈值时,激活CPU复位可以最大限度地降低闪存出错的可能性。这可以防止在电源故障条件下,继续执行代码。复位发生器激活CPU复位信号及闪存的写保护信号。在某些情况下,复位发生器的输出并不是直接用于CPU复位。相反,它被连接到一个CPLD来执行一个复位分配算法。……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-24 11:10
    大小: 657.79KB
    上传者: 978461154_qq
    PSoC4Bootloader和Bootloadable1.10PSoCCreator组件数据手册Bootloader和Bootloadable1.10特性单独的Bootloader和Bootloadable组件支持可配置的命令组灵活的组件配置概述Bootloader系统使用新应用代码和/或数据管理组件闪存的更新流程。为了使流程生效,我们使用以下组件:Bootloader工程-包含Bootloader和通信组件的工程Bootloadable工程-包含用于创建代码的Bootloadable组件的工程Bootloader组件Bootloader组件允许用户对组件闪存进行代码更新。Bootloader接受并执行命令,然后将这些命令的响应传回通信组件。Bootloader收集并整理接收到的数据,并通过一个简单的命令/状态寄存接口管理对闪存的写入操作。工程应用类型需与原理图上放置的组件匹配。例如,对于Bootloader工程,将应用类型设置为Bootloader并将Bootloader……
  • 所需E币: 5
    时间: 2019-12-24 11:08
    大小: 2.19MB
    上传者: 2iot
    PSoC4系统参考指南文件。……
  • 所需E币: 4
    时间: 2019-12-24 10:53
    大小: 459.79KB
    上传者: 16245458_qq.com
    STM32F10x闪存编程手册_V6_中文本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准PM0042编程手册STM32F10xxx闪存编程简介本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存储器。为方便起见,在本文中出特别说明外,统称它们为STM32F10xxx。STM32F10xxx内嵌的闪存存储器可以用于在线编程(ICP)或在程序中编程(IAP)烧写。在线编程(In-CircuitProgramming……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-9 12:56
    大小: 2.08MB
    上传者: 978461154_qq
    基于Atmel闪存数码相机解决方案……
  • 所需E币: 5
    时间: 2020-1-13 13:54
    大小: 735KB
    上传者: 2iot
    技术对决NOR闪存VsNAND闪技术对决NOR闪存VsNAND闪存芯片逻辑架构上的差异NOR与NAND闪存之间在市场上的较量一直没有停止过,但是由于两者的个性都比较明显,所以在所针对的应用领域方面倒并没有太多的冲突。不过,这种“平稳”的局面近年来有所打破,而对于某一领域的开发商仍然要关注两者的不同以做出正确的选择。NOR与NAND的“个性”化特征始于两者的内在设计的区别。从架构上看,NOR闪存的设计明显与传统的DRAM相似,地址线与数据线是独立的。而NAND则是共用的,这也是其与NOR型闪存的最大不同之处。[pic]NOR闪存的架构图,地址线与数据线是独立的(点击放大)[pic]NAND闪存的架构图,数据与地址线共用是其一大特点(点击放大)而从存储阵列的设计上,我们更能发现巨大的差异。NOR闪存的阵列很像传统的DRAM,大多也划分了逻辑Bank(有的厂商称之为分区——Partition),但与DRAM不同的是,逻辑Bank的大小根据设计有时会不相同。至于NAND的阵列设计,则完全是另一回事。[pic]NOR闪存阵列大多划分了逻辑Bank,与DRAM架构很相似(点击放大)[pic]NAND闪存的阵列模型,与传统的DRAM截然不同,图为8bit位宽128Mbit芯片(点击放大)看到NAND的设计是不是很奇怪?NAND……
  • 所需E币: 4
    时间: 2020-1-13 14:39
    大小: 62.5KB
    上传者: quw431979_163.com
    设计移动电子产品时如何选择快闪存储器设计移动电子产品时如何选择快闪存储器|作者:|   当今无线电话,PDA等移动系统的设计人员,面对各种不同的使用要求,对如何选择合适的微处理器,存储器子系统,以及I/O器件,感到十分困惑。需要综合考虑进入市场的时限,成本,开发的工作量,尺寸,功耗,重量,性能等等一大堆限制和要求,结合各种各样器件的特长,进行优化搭配。由于各个项目的侧重点不同,项目的最佳解决方案也不可能相同。   一切运行算法的电子系统基本上都可以看作是一台有限状态机。处理器可以看作是下一状态的解码器,存储器可以看作是记录该状态机当前状态的寄存器。机器一通电,系统必须从非易失性存储器取得数据进行初始化;还需要得到向下一状态转换的全部程序编码。快闪存储器作为移动通信设备存储程序编码的存储器,作用非同小可。系统的存储结构   目前快闪存储器的种类繁多,足够系统设计人员选择。应该根据所选定的对通信系统要求,选择最合适的快闪存储器。目前移动通信系统的基本构造大体上分为三类:即PC模式,小型微处理器模式,和中型微处理器模式。   典型的PC模式中,处理器依靠存储在闪存中的BIOS进行启动。接着BIOS被复制到DRAM中去,以便加快执行的速度。随后操作系统和应用软件也先后被复制到DRAM中去,以便执行。PC模式的特点有三条。第一,启动速度慢;并且随着操作系统复杂程度的增加,启动的速度也更慢。对于消费类电子产品这样慢的启动过程,用户是无论如何也不能接受的,必须加以改进。第二,执行速度快。由于操作系统和应用软件都复制到DRAM,由RAM来执行可以达到最快的速度。当然这要求DRAM具有相当大的容量。此外,断电时需要先将机器的状态保存到非易失性存储器中去,因此该……
  • 所需E币: 3
    时间: 2020-1-15 13:40
    大小: 235KB
    上传者: 16245458_qq.com
    NAND与NOR闪存深入解析,NAND与NOR闪存深入解析……
  • 所需E币: 3
    时间: 2019-12-28 23:58
    大小: 209.5KB
    上传者: rdg1993
    DS80C400/DS80C410/DS80C411网络微控制器具有特定的电气和时序要求,兼容的闪存芯片必须符合这些要求。本应用笔记对这些要求进行说明,给出与DS80C400/DS80C410/DS80C411完全兼容的存储器芯片实例,同时还给出能够擦除和编程电气兼容、但与ROM装载程序软件不兼容闪存的软件源代码。读过本应用笔记后,用户在DS80C400/DS80C410/DS80C411设计中应可以决定使用何种闪存。……
广告