技术对决 NOR闪存Vs NAND闪 技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存 芯片逻辑架构上的差异 NOR与NAND闪存之间在市场上的较量一直没有停止过，但是由于两者的个性都比较明显 ，所以在所针对的应用领域方面倒并没有太多的冲突。不过，这种“平稳”的局面近年来 有所打破，而对于某一领域的开发商仍然要关注两者的不同以做出正确的选择。 NOR与NAND的“个性”化特征始于两者的内在设计的区别。从架构上看，NOR闪存的设计 明显与传统的DRAM相似，地址线与数据线是独立的。而NAND则是共用的，这也是其与NO R型闪存的最大不同之处。 [pic] NOR闪存的架构图，地址线与数据线是独立的（点击放大） [pic] NAND闪存的架构图，数据与地址线共用是其一大特点（点击放大） 而从存储阵列的设计上，我们更能发现巨大的差异。NOR闪存的阵列很像传统的DRAM， 大多也划分了逻辑Bank（有的厂商称之为分区——Partition），但与DRAM不同的是，逻辑 Bank的大小根据设计有时会不相同。至于NAND的阵列设计，则完全是另一回事。 [pic] NOR闪存阵列大多划分了逻辑Bank，与DRAM架构很相似（点击放大） [pic] NAND闪存的阵列模型，与传统的DRAM截然不同，图为8bit位宽128Mbit芯片（点击放大 ） 看到NAND的设计是不是很奇怪？NAND……