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DC-DC 降压电路没有输出问题 DC-DC 降压电路应用比较广，好多线路设计都有用到。我们这里遇到了一个 DC-DC 没有输出的问题，现在拿出来分析下。 事因是有客户反馈说系统有上电不开机的情况，特别是第一次上电不开机出现的概率较多。初步检查到是 DC-DC 降压没输出的原因。 先来看下 DC-DC 应用电路，如图 电路描述：当系统上电时，主控的 PWR_EN 会输出一个 3.3V 的电压，来开启 DC-DC 这颗降压芯片，使其输出相应电压。 PWR 电源在锂电池供电时为 4.2V ，在 USB 供电时为 4.9V 。此电路设置的输出为 3.3V 。 DC-DC 芯片不开启的原因是 EN 脚将 PWR_EN 的电压拉死了，用示波器量得会出现如下 2 个现象： 一是 PWR_EN 的整体电压拉得很低，持续不到 50 毫秒就拉死了 二是 PWR_EN 的电压未被拉低，但持续很短的时间就拉死了 断开 R8 这个电阻再来测量， PWR_EN 输出是正常的，这里就可以证明主控芯片是没问题的，问题就是由 DC-DC 的 EN 脚电路部分引起的。 解决方法是： 将 R8 的阻值增大到 100K ，经测试到目前发文章为止未测到不开机的问题。 问题可以说是解决了，但还是会存在疑问：根本原因是什么呢？是 RC 电路的问题？还是 DC-DC 芯片 EN 脚内部设计的问题？或者是 DC-DC 芯片质量问题？ 原理是什么样的呢？下面结合实际简单验证下： 1、 怀疑芯片的问题，更换一个新的芯片测试同样会出现，更换另一个型号的芯片也一样会出现。两种芯片的内部架构如下图 这里可以确定芯片质量没问题，这里可不可以得出就这个架构的芯片就会存在这样的问题呢？因为资源有限，其它品牌的芯片未拿来验证，后续选择这种架构的芯片时还需注意这个问题。 2、 怀疑 C16 电容的问题，解释为电容充电瞬间达到了它的耐压值，瞬间高压使得 DC-DC 芯片的 EN 脚内部被击穿导致对地短路而将 PWR_EN 拉死。后面查资料及实际测量得出该解释是错误的，电容瞬间的电压不会高于 3.3V 。 另外怀疑是不是 C16 电容瞬间短路引起的，已知电容的需压值为 6.3V ，实验如下： 如图搭建一个电路，反复开关 S1 ，若电容短路，则 LED 就会熄灭，将 VCC 的电压调高再来测试，并未发现电容短路导致 LED 灯熄灭。 3、 还是怀疑 C16 充电引起的，解释为电容充电瞬间电流较大，超出了 DC-DC 的 EN 脚耐流，导致 EN 脚内部被击穿而将电压拉死。为什么电阻改成 100K 后就没问题呢？ 可以从这图波形反映出来，蓝色线为 10K 时的上电，白色线为 100K 时的上电，图中蓝线上电快，白线上电慢，根据 I=C*dV/dt 可以得出 10K 时的瞬间电流大，所以更具风险。 也可以解释为什么第一次上电出现的概率大，因为开始时电容还处于完全放电状态。 综上，可以判断出 EN 处的电流对 DC-DC 芯片内部的影响，使得 DC-DC 芯片内部 EN 电路出现对地锁死的情况（待电压撤去重新上电又恢复正常），由于供应商对这引脚内部电路未做开放，所以不清楚其内部具体如何。 供应商给的芯片手册上只能查到EN的漏电流，其它电流相关的描述没有 到此就分析完了，解决方法是有效的，因能力有限，可能分析方法还有很大不足的地方，欢迎读者指正。同时也希望能为读者抛砖引玉，发散自己的思维，找到更合理的分析更有效的方法。

通过对X7R 电容的温度和电压变化调查，强调了数据表的重要性。 几年以前，经过用瓷片电容的25年多工作之后，我对它们有了新的领悟。那时我正在忙于做一个LED灯泡驱动器，当时我项目中一个RC电路的时间常数显然是有问题。 我第一个假设是：电路板上某个元件值不正确，于是我测量用作一个分压器的两只电阻，但它们都没有问题。我把电容从电路板上拆下来测量，也没有问题。为了进一步确认，我测量并装上了新电阻和新电容，给电路上电，检查发现基本运行正常，然后看更换元件是否解决了RC电路时间常数问题。但答案是否定的。 我是在自然的环境下测试电路：在外壳内，电路处于外壳内，模拟了一个屋顶照明灯的“罐子”。有时元件温度会升到100多摄氏度。虽然我重新测试RC电路的时间很短，一切仍非常烫手。 显然，我的下一个结论是：问题在于电容的温度变化。但是我自己都怀疑这个结论，因为我用的可是X7R电容，根据我的记忆，这种电容最高可工作到+125°C，变化也只有±15%。我信任我的记忆力，但是为了保险起见，我重新查看了所使用电容的数据表。 背景报告 表1给出了用于不同种类瓷片电容的字母与数字，以及它们各自的含义。表格描述了Class II和Class III两种瓷片电容。这里不谈太多细节，Class I级电容包括常见的COG(NPO)型；这种电容的体积效率不及表格中的两种电容，但是它在多变环境条件下要稳定得多，而且不会出现压电效应。相反，表格中的电容具有广泛多变的特性，它们能够扩展并承受所施加的电压，但有时会产生可听到的压电效应（蜂鸣声或振铃声）。 在给出的多种电容类型中，据我的经验，最常用的是X5R、X7R，还有Y5V。我从来没用过Y5V，因为它们在整个环境条件区间内，会表现出极大的电容量变化。 当电容公司开发产品时，他们会通过选择材料的特性，使电容能够在规定的温度区间（第一个和第二个字母），工作在确定的变化范围内（第三个字母；表1）。我正在使用的是X7R电容，它在-55°C到+125°C之间的变化不超过±15%。所以，要么我是用了一批劣质电容，要么我的电路其它部分有问题。 不是所有的X7R电容都一样 既然我的RC电路时间常数问题无法用特定温度变量来解释，就必须深入研究。看着我那支电容的容量与施加电压的数据，我惊奇的发现，电容随着设置条件的变化量是如此之大。我选择的是一只工作在12V偏压下的16V电容。数据表显示，我的4.7-μF电容在这些条件下通常是提供1.5μF的容量。现在，就完全能解释RC电路的问题了。 数据表显示，如果我把电容封装尺寸从0805增加到1206，在规定条件下的典型电容量将是3.4μF。这表明有进一步研究的必要。 我发现村田制作所(www.murata.com)和TDK公司(www.tdk.com)在网站上提供了很好的工具，能够绘出不同的环境条件下的电容量变化。我对不同尺寸和额定电压的4.7μF电容做了一番研究。图1数据是取自村田的工具，针对几种不同的4.7μF瓷片电容。我同时观察了X5R和X7R两种型号，封装尺寸从0603到1812，额定电压从6.3到25V dc。首先我注意到，随着封装尺寸的增加，随所施加直流电压的电容量变化下降，并且幅度很大。 图一 本图描绘了所选4.7-μF电容上直流电压与温度变化量的关系，如图所示，随着封装尺寸的增加，电容量随施加电压的而大幅度下降。 CAPACITANCE(μF) 电容量 (μF) DC VOLTAGE (V)直流电压 (V) 第二个有趣的点是，对于某个给定的封装尺寸和瓷片电容类型，电容的额定电压似乎一般没有影响。于是我估计，如将一只额定25V的电容用于12V电压，则其电容变化量要小于同样条件下的额定16V电容。看看1206封装X5R的曲线，显然额定6.3V元件的性能确实优于有较高额定电压的同类品种。 如果我们检验更大范围的电容，就会发现这种情况很常见。对于我研究的那些电容样本集，并没有展示出普通瓷片电容应有的表现。 《电子设计技术》网站版权所有，谢绝转载 观察到的第三个问题是：对于同样的封装，X7R电容的温度敏感度要高于X5R电容。我不知道这是否普遍适用，但是在我的实验里似乎是这样。 从图中可以看出，表2显示了X7R电容在12V偏压货款，电容量的减少量。注意，随着电容封装尺寸逐步增加到1210，电容量有着稳步的增长，但是超过这个尺寸就没有多大改变了。 选择正确的电容 在我的例子中，我为4.7μF的X7R电容选择了最小的可用封装，因为尺寸是我项目的一个考虑因素。由于本人的无知，因而假设了任何一种X7R都与其它X7R有相同的效果；而显然，情况并非如此。为使我的应用得到正确的性能，我必须采用某种更大的封装。 我真的不想用1210封装。幸运的是，我可以把所用电阻值增大5x,因而电容量减少到了1μF。 图2是几种16V、1μF X7R电容与16V、4.7μF X7R电容的电压特性图。0603的1μF电容和0805的4.7μF电容表现相同。0805和1206的1μF电容性能都略好于1210的4.7μF电容。因此，使用0805的1μF电容，我就可以保持电容体积不变，而偏压下电容只降到额定量的大约85%，而不会到30%。 但我还是困惑。我曾认为所有X7R电容都应该有着相同的电压系数，因为所用的电介质是相同的，都是X7R。所以我向一位同事，日本TDK公司的现场应用工程师克里斯?伯克特请教，他也是瓷片电容方面的专家。他解释说很多材料都能满足“X7R”资格。事实上，任何一种材料，只要能使器件满足或超过X7R温度特性（即在-55°C到+125°C范围内，变化在±15%），都可以叫做X7R。伯克特也解释说，并没有专门针对X7R电容或任何其他类型瓷片电容的电压系数规范。 这是一个关键的要点，因此我要再重复一遍。只要一个电容满足了温度系数规范，不管其电压系数多么糟糕，厂商都可以把这个电容叫做X7R电容（或者X5R,或其他任何类型）。这个事实印证了任何一位有经验电器工程师都知道的那句准则（双关语）：去读数据表！ 由于厂商越来越倾向于小型元件，所以他们不得不对使用的材料作出妥协。为了用更小的尺寸获得所需要的体积效率，他们被迫接受了更糟糕的电压系数。当然，有信誉的制造商会尽量减少这种折中的副作用。 结论是，在使用小封装瓷片电容的时候（实际在使用任何元件的时候），阅读数据表都极为重要。但很遗憾，通常我们见到的数据表都很简短，几乎无法为你做决定提供任何需要的信息，所以你必须坚持让制造商给出更多的信息。 那么被我否定的Y5V电容怎么样呢？纯为好玩，我们来研究一个普通的Y5V电容。我选择的是一个4.7μF、0603封装的额定6.3V电容）我不会提制造厂商，因为它的Y5V电容并不劣于任何其他厂商的Y5V电容），并查看它在5V电压和+ 85° C下的规格。在5V电压下，典型的电容量比额定值低92.9%，或为0.33 μF。 这就对了。如果给这个6.3V的电容加5V偏压，则其电容量要比额定值小14倍。 在0V偏压+85°C时，电容量会减少68.14%，从4.7μF降至1.5μF。现在，你可能觉得，在5V偏压下，电容量会从0.33降至0.11μF。幸运的是，两个效应并没有以这种方式结合到一起。在这个特例中，室温条件下加5V偏压的电容变化要差于+85°C。 明确地说，这个电容在0V偏压下，电容量会从室温的4.7μF降到+85°C的1.5μF；而在5V偏压下，电容量会从室温的0.33μF增加到+85°C的0.39μF。这个结果应该让你信服了，真的有必要仔细查看元件规格。 着手处理细节 这次教训之后，我再也不会向同事或消费者推荐某个X7R或X5R电容了。我会向他们推荐某家供应商的某种元件，而我已经检查过该元件的数据。我也提醒消费者，在考虑制造的替代供应商时，一定要检查数据，不要遭遇我的这种问题。 你可能已经察觉到了更大的教训，那就每次都要阅读数据表，无一例外。如果数据表上没有足够的信息，要向厂商要具体的数据。也要记住，瓷片电容的命名X7R、Y5V等跟电压系数毫无关系。工程师们必须检查了数据才能知道（真正地知道）某种电容在该电压下的性能如何。 最后请记住：当我们持续疯狂的追求更小尺寸时，它也成为了每天都会遇到的问题。 致谢 作者感谢克里斯.伯克特，日本TDK公司的现场应用工程师，因为他解释了同一命名瓷片电容有广泛差异的电压系数的原因。 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载