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物理·漫画半导，有趣的学习方式

微波半导体器件——原理和辐射效应,微波半导体器件——原理和辐射效应……

电路设计基础知识（4）——半导体器件|电路设计基础知识（4）——半导体器件||一、中国半导体器件型号命名方法||半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN||型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义||如下：||第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管||第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时||：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管||时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。||||第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管||、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-||光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F|（f>3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管||（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-||雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管||、PIN-PIN型管、JG-激光器件。||第四部分：用数字表示序号……

半导体词汇半导体词汇转贴:和那个微电子词汇差不多1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）6.Alignmark(key)：对位标记7.Alloy：合金8.Aluminum：铝9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模拟的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18.Antimony(Sb)锑19.Argon(Ar)氩20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去胶机24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26.Backend：后段（CONT……

2005半导体学报-CMOS工艺中GG_NMOS结构ESD保护电路设计第26卷第8期2005年8月半导体学报CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSVol.26No.8Aug.,2005CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计3杜鸣郝跃朱志炜(西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071)摘要:采用GG2NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD导致的栅氧化层损伤的微观机制.关键词:ESD;GG2NMOS;人体放电模式;栅耦合PACC:7360F;6120J;8240Q中图分类号:TN386文献标识码:A文章编号:025324177(2005)08216192041引言ESD(electrostaticdischarge)是当今MOS集2ESD保护电路及其工作原理一个好的片内保护电路应该能够可以抵抗多次ESD应力;还应该具有足够快的开启速度以及低的开启电阻,以保证在ESD事件发生时,能够快速的将电压钳位,使得相应的被保护电路不受损伤[7,8].此外,保护电路还应该具有独立性,在被保护电路工作时,保护电路应该是高阻状态,不影响被保护内部电路的正常工作.本文的ESD保护电路,是采用μm标准CMOS工艺(加ESD注入工艺)……

半导体整流器……

半导体的多频率C-V测量和掺杂剖面分析!"#$`Js!"#$!PPVJR^áí=QNVQN^L!"#$^áí=QNVQ^!"#$%^áí=QNVQ^L!"#$%&'()*+,-./0E^áí=QNVQN^L_!"NMM=eòNMM=jeòFNKRLP!"#$%&'()*+,!"#$%&'()*!"!"#$`Js!"#$%!"#$%&QNVQ^!"#$%&'()*+!"#$%&'QNVQ^!"#$!"#$%&'N=jeò`Js!"#$%&'()*+,!"#$ENF!"#$%&'()*+,-.*"!"#$%&'(ENMM=eòF!"!"#$%&'()EF!"EFQNVQ^eòNMM=jeò!"#NMM=eòQM=jeòE!"F!"#$%&'(#$%)*+,-.^áí=QNVQN^L_!"#$%NM!"#$%i`o!"ENPF!"#$%&'()*QNVQN^L_!"#$QNVQ^!"!"#N!"#$%&!"#$%&'()*+,!"N=jeò!"#$%&P!"#$%&'()NMM=jeò`Js!"#$%&'(!"#$%&'()*`Js!"#$%&'()*+,-./0QNVQ^!"#!"#$%&EkEFtGF`Js!"#$%&'()!"`oq!"`Js!"#$%P!"#$%&!"#$%&'E!"RE^pmFSF!"#$%&'()G=kEFW=====W!2wZoH`W=`W=oW=NgEOπE`H`FF!"!"!NK=jlp!OK=!EQNVQ^HQNVQN^L_F34PK=^pm!5QK=^pm=6……

SJ20302-1993半导体集成电路JW1930-12、JW1930-15、JW1932-5型三端低压差固定正输出稳压器详细规范……

第三代无线通信及相关半导体技术资料中心页码，1/3中文版|English|Japan|France|繁体版搜索支持&下载技术知识库安装手册电子杂志与样本产品FAQ咨询中电电气｜首页>支持&下载>技术支持库--行业选择--第三代无线通信及相关半导体技术李秀清分类阅读输配电类电机类电气自动化电力通讯电源电池成套电器断路装置电工材料汽车电气设备电力其它防电弧服订阅电子杂志姓名：邮箱：订阅退订保护类电线电缆电热设备发电类自动化控制照明电气电磁应用仪器仪表防爆类光伏科技微波测碳摘要介绍了第三代无线通信系统，着重展望第三代无线通信系统用的新型半导体器件与技术的发展前景。关键词无线通信半导体技术（电子十三所）1随着新世纪的到来，通信行业也跨入新的发展阶段，即第三代无线通信时期。通信业不但是二十世纪发展最快的引［，，］言135产业之一，而且也是新世纪最有发展前途的领域。无线通信市场在经历了近10年的高速发展以后继续飞速发展。以人人都能随时、随地高质量通信为目标的移动通信变得越来越普及。移动电话用户超过固定电话用户的预言已在一些地方成为现实。第三代移动通信的商业化已指日可待。据世界最大移动电话制造商诺基亚公司的最新统计结果显示，目前全球移动通信用户已超过4．5亿。1999年曾预测至2003年移动通信用户会达到10亿。而且从目前的迅猛发展势头看，到2002年底就会提前1年多实现10亿用户的目标。也就是说今后两年内移动电话用户将以成倍的速度发展。无线通信一直是射频半导体器件与电路的一个重要应用领域。近年来，无线通信系统用的半导体器件与技术也在以惊人的速度发展，市场不断扩大。据统计，1999年全球移动电话用射频半导体器件的市场销售额接近39亿美元，预计至……

半导体器件电子学（英文版）,半导体器件电子学……

半导体器件应用中的可靠性及失效分析|半导体器件应用中的可靠性及失效分析||[pic]||2001-11-23骊山微电子公司马璇（西安710075）||||摘要本文统计分析了引起半导体器件失效的一些主要失效原因,阐明了失效分析在||提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用。||关键词半导体器件的可靠性失效分析||1前言||    半导体器件失效分析就是通过对失效器件进行各种测试和物理、化学、金相试||验，确定器件失效的形式（失效模式），分析造成器件失效的物理和化学过程（失||效机理），寻找器件失效原因，制订纠正和改进措施。加强半导体器件的失效分析||，提高它的固有可靠性和使用可靠性，是改进电子产品质量最积极、最根本的办法||，对提高整机可靠性有着十分重要的作用。||    本文以航天总公司半导体器件失效分析中心近年来所完成的一部分失效分析案||例为基础，统计分析了引起半导体器件失效的一些主要失效原因，以一些具体分析||实例说明了失效分析在提高半导体器件……

微波半导体器件基本原理,微波半导体器件基本原理……

应用文档027-带封装的半导体器件的从热阻推导出结温的方法【应用文档027】根据热阻计算出结温-----------------------------------------------------------------------------------对于带封装的半导体器件的从热阻推导出结温的方法目录关键词中英文对照...................................................................................................................2热阻模型...................................................................................................................................2例子...........................................................................................................................................3条件...................................................................................................................................3计算.......................................................................................................................……

国家军用标准---半导体集成电路总规范www.17jzw.comwww.17bzw.cnwww.17jzw.netwww.3x888.com标准资料收藏家www.17bzw.cn易启标准网免费提供十万标准书籍资料下载会打字、5分钟快速自助建网站www.17jzw.com易启建站网免费提供建站平台，商业网站1年仅60元www.17jzw.comwww.17bzw.cnwww.17jzw.netwww.3x888.comwww.17jzw.comwww.17bzw.cnwww.17jzw.netwww.3x888.com标准资料收藏家www.17bzw.cn易启标准网免费提供十万标准书籍资料下载会打字、5分钟快速自助建网站www.17jzw.com易启建站网免费提供建站平台，商业网站1年仅60元www.17jzw.comwww.17bzw.cnwww.17jzw.netwww.3x888.com标准资料收藏家www.17bzw.cn易启标准网免费提供十万标准书籍资料下载会打字、5分钟快速自助建网站www.17jzw.com易启建站网免费提供建站平台，商业网站1年仅60元www.17jzw.comwww.17bzw.cnwww.17jzw.netwww.3x888.comwww.17jzw.comwww.17bzw.cnwww.17jzw.netwww.3x888.com标准资料收藏家www.17bzw.cn易启标准网免费提供十万标准书籍资料下载会打字、5分钟快速自助建网站www.17jzw.com易启建站网免费提供建站平台，商业网站1年仅60元www.17jzw.comwww.17bzw.cnwww.17jzw.netwww.3x888.com标准资料收藏家www.17bzw.cn易启标准网免费提供十万标准书籍资料……

现代半导体器件物理,现代半导体器件物理……

国家半导体针对altera的电源解决方案,国家半导体针对altera的电源解决方案……

半导体制造工艺讲义（pdf课件）第一章,半导体制造工艺讲义（pdf课件）第一章semigyjy1……

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半导体主要内容主要内容1.1半导体基础知识1.1.1本征半导体所谓半导体，顾名思义，就是它的导电能力介乎导体和绝缘体之间。用得最多的半导体是锗和硅，都是四价元素。将锗或硅材料提纯后形成的完全纯净、具有晶体结构的半导体就是本征半导体。半导体的导电能力在不同条件下有很大差别。一般来说，本征半导体相邻原子间存在稳固的共价键，导电能力并不强。但有些半导体在温度增高、受光照等条件下，导电能力会大大增强，利用这种特性可制造热敏电阻、光敏电阻等器件。更重要的是，在本征半导体中掺入微量杂质后，其导电能力就可增加几十万乃至几百万倍，利用这种特性就可制造二极管、三极管等半导体器件。半导体的这种与导体和绝缘体截然不同的导电特性是由它的内部结构和导电机理决定的。在半导体共价键结构中，价电子（原子的最外层电子）不像在绝缘体（8价元素）中那样被束缚得很紧，在获得一定能量（温度增高、受光照等）后，即可摆脱原子核的束缚（电子受到激发），成为自由电子，同时共价键中留下的空位称为空穴。在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由电子）递补空穴形成的空穴电流。也就是说，在半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，这是半导体和金属在导电机理上的本质区别。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合，在一定温度下达到动态平衡，载流子便维持一定数目。温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能的影响很大。1.1.2掺杂半导体相对而言，本征半导体中载流子数目极少，导电能力仍然很低。但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。由于掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型和P型两大类。N型半导体中掺入的杂质为磷或其他五价元素，磷原子在取代原晶体结构中的……

半导体微电子及模拟电路,半导体微电子及模拟电路……