原创 非易失性存储器概况

非易失性存储器起源于简单的掩膜只读存储器ROM，随后演变成PROM，再后来成为EPROM。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

1988年英特尔公布了快速随机存取的NOR闪存，标志着非易失性存储技术走向成熟。尽管EPROM技术已经有了10多年的历史，NOR闪存还是迅速占领了EPROM的市场。而NAND闪存比NOR技术更早，已经有20多年历史了。最初，NAND闪存的年度发货量增幅缓慢，后期则成为市场上炙手可热的产品，其在市场上取得的成功主要归功于它独特的特点。

一直以来，非易失性存储器的读写速度都远不及易失性存储器，寿命（读写次数）也存在固有的局限性，在一定次数的写入操作后，存储器会达到自己的承受极限而出现故障。因此，努力的目标就是让它具备与SRAM类似的存取速度，同时没有读取/写入限制，以及只消耗非常少的功率。就目前来说，还没有任何一款新型的非易失性存储器能够在所有领域都取得优势，但这些存储器均在存储器特性的某些重要方面取得了关键性的进步。nvSRAM、FRAM等产品正在朝此方向努力，目前已经达到的技术水平见下表。