原创 MRAM闪存在太空探索中获得应用

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作为一种新型的非易失性存储器，MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁荷随机存储器）目前的主要缺点是存储密度小，制造成本高，所以在普通应用中还无法与NAND闪存抗衡。但是，因为MRAM可以无限次地擦除和重写，寿命远超过闪存。同时，MRAM通常可以在-40 至+105度的环境下可靠工作，环境适应性比普通闪存高得多。所以，MRAM非常适合在恶劣环境中使用。随着日本宇宙航空研究开发机构发射SpriteSat卫星，MRAM技术已经向太空应用挺进。

MRAM以磁性单元的极性表示数据，但没有磁盘驱动器那样的旋转机构

据瑞典Angstrom Aerospace公司宣布，其微机电系统磁强计将采用MRAM来替代日本卫星上的SRAM以及闪存。Angstrom Aerospace的子系统将在2008年下半年由SpriteSat卫星发射升空，其中搭载的复杂磁强计将检测地球的磁场以及卫星的轨道。