■ 定义﹕
       MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

■ 特点﹕
     1:   采用高散热系数的材料---Si  作为衬底﹐散热容易. 

*Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K

     2﹕通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
     3:  导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍)，更适应于高驱动电流领域。
     4:  底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
     5:  尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB