原创 拚FinFET，TSMC和UMC谁将抢先

晶圆代工双雄TSMC和UMC拼斗二十余年，TSMC始终领先，压制着UMC，收入是UMC的4倍有余，利润更是高达15倍，代工的客户一直是业界的设计翘楚，包括ALTERA、QUALCOMM、BOARDCOM、NVIDIA、MTK等。在制程方面也基本上是TSMC压制着UMC。
但是在新技术上FinFET的推出上，双方的竞争更是激烈。
2011年6月，半导体巨头Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了全球半导体厂商的注意，代工商也不例外。
TSMC于7月与ARM签署使用台积电的FinFET工艺制造下一代64bit ARM处理器产品的合作协议，从新协议的有效时间看，延伸到了台积电计划中的20nm级别产品推出的时间点之后，即2013年以后。据悉这次合作还有望推出采用台积电的16nm CMOS制程制造的处理器产品，台积电计划2015年下半年开始量产这种产品。
2012年7月，UMC宣布与IBM签订技术授权合约，将以3D架构的鳍式场效晶体管(FinFET)，促进次世代尖端20纳米CMOS制程的开发，以加速UMC次世代尖端技术的研发时程。在7月UMC的法说会上，UMC CEO孙世伟表示，联电的首次FinFET元件将以和20nm平面CMOS相同的20nm后段制程为基础。他同时对TSMC的做法不认同，他表示许多公司都采取相同做法，但有些人将之定义为16或14nm制程。他进一步指出，这实际上只是行销手法罢了。
但是根据接近IBM技术联盟的人士表示，联电取得的 FinFET 授权是在矽晶圆上制造，而不是在绝缘层上覆矽(SOI)晶圆上，这将使联电能更快地引进技术，并使用运行20nm 块状 CMOS制程来量产。若能确保鳍已经具备良好的矩形截面定义，就能更显著地展现出性能的差异化，同时，未来在SOI晶圆上生产FinFET时也能进一步改善漏电流性能。
看来双雄的竞争将日趋激烈，让我们拭目以待，看看谁将首先推出FinFET制程。