原创什么是静电破坏？哪些类型的LED容易受静电破坏导致失效？

 2010-2-2 10:08  1187 4 5 分类: 消费电子

静电实际是由电荷累积构成。人们在日常生活中，特别是在干燥天气环境中，当用手去触摸门窗类物品时会感觉“触电”，这就是门窗物品静电积累到一定程度时对人体的“放电”。对羊毛织品、尼龙化纤物品，静电积累的电压可高达一万多伏特，电压十分高，但静电功率不大，不会威胁生命，然而对于某些电子器件却可以致命，造成器件失效。
LED中用GaN基构成的器件，由于是宽禁带半导体材料，它的电阻率较高，对于InGaN/AlGaN/GaN的双异质结兰色光LED，其InGaN的有源层的厚度一般只有几十纳米，再由于这种LED的两个正、负电极在芯片同一面上，之间距离很小，若两端的静电电荷累积到一定值时，这一静电电压会将PN结击穿，使其漏电增大，严重时PN结击穿短路，LED失效。
正因为存在静电威胁，对于上述结构的LED芯片和器件在加工过程中对加工场地、机器、工具、仪器，包括员工服装均要采取静电措施，确保不损伤LED。另外在芯片和器件的包装上也要用防静电的材料。
也有人从衬底材料、外延结构和芯片结构上改进，在很大程度上解决防静电击穿的问题，例如用SiC做衬底，使P和N的两个电极从两个面引出，可以较大程度上解决这一问题，再如用Flip-Chip，在LED PN结两端在硅片上制作两个背对背稳压管箝位达到保护LED PN结不受静电威胁，当然，从应用角度讲，在使用LED时也可以加装保护电路。
欢迎收藏下载:静电破坏

led 静电破坏

写原创有奖励！2025面包板原创奖励正在进行中

PARTNER CONTENT

换一换> 更多>

文章评论（1条评论）

登录后参与讨论

1989tie_959541171 2013-2-26 13:32

谢谢Allen兄的回复，从这里memcpy的用法上看确实不用考虑内存对齐access的问题。这里的access function针对于主要的structure做优化，效果会很好。这里能够这样做的structure也是我们最关心的。之所以会想到，memcpy access align memory的问题，因为这样更容易做到块copy，copy的效率也更高。

回复

allen_zhan_752827529 2013-2-22 18:39

hello catch2000 兄, 我这里说的 memcpy 的方式, 仍然是延续这篇文章的重要观点, 用自行 offset 的方式, 自行构造 access function 去访问每个 unaligned member, 而并非意指其他. 用上 memcpy 是使我们的 access function 看起来可读性更强, 比方说, 直接读取 32-bit 的无符号整形member, 我们可以写作: U32 basic_read_u32(U32 offset) { U32 data = 0; memcpy((U8*)&data, basic_str_ptr(offset), sizeof(U32)); return data; } 这里我们没有去考虑 memcpy 如何被 compiler 去优化实现. 但是只要这个 compiler 还是 C compiler. 那么我们完全知道, 这个 access function 将忠实执行我们力图达到的准确访问, 在该 struction 中定义的任何 u32 的 member, 而不用关心它是否是 aligned. 所有的技巧和秘诀只不过是记录好每个 member 的 offset 而已, 难道这不是一件很easy 的事儿吗... - Allen

回复