原创 PEEDI 对TMS470设备编程

2010-10-11 14:29 1491 6 8 分类: EDA/ IP/ 设计与制造

关键词:设置TMS470 FLASH,PEEDI,保护,擦除编写



简介


TMS470 32-bit RISC ARM7TDMI微控制器提供一个可以升级模式和丰富的外围设备,解决高性能级别和质量的要求。


设置TMS470的内部FLASH 装置,通过MSM和 FLASH 自身的单元来实现还是比较复杂的。所以在这里我向你介绍一些技巧怎么样避开一些导致装置自锁的问题,来编写


编写 TMS470


这里有一个TMS470 装置的一些设备和MSM的状态:



Device


MSM


TMS470R1A064


No


TMS470R1A128


No


TMS470R1A256


No


TMS470R1A288


Yes


TMS470R1A384


No


TMS470R1B512


No


TMS470R1B768


No


TMS470R1B1M


Yes



TMS470装置用四个WORD长字键保护 FLASH免受意外的擦除/写操作。


你需要用PROTECTION_KEY0-PROTECTION_KEY3这个指令把那些键放在PEEDI的目标配置文件CFG的TMS470 FLASH部分。


在TMS470这个装置里,有存储安全模式(MSM)。如果当前的编写的MSM 键跟0xFFFFFFFF不一样,你需要把这些打开状态的关联事务放到CFG文件的TMS470 INIT部分的里:



[INIT_TMS470B1M]
; dummy read the four MSM keys
memory read 0x0000FFE0
memory read 0x0000FFE4
memory read 0x0000FFE8 
memory read 0x0000FFEC 

; unlock the device using the correct MSM keys
memory write 0xFFFFF700 0xAAAAAAAA
memory write 0xFFFFF704 0xBBBBBBBB
memory write 0xFFFFF708 0xCCCCCCCC
memory write 0xFFFFF70C 0xDDDDDDDD 


0xAAAAAAAA, 0xBBBBBBBB, 0xCCCCCCCC和 0xDDDDDDDD这些都是正确的MSM码。请看TMS470 CPU的详细说明书,检查在FLASH闪存器里的关键点正确的地址和这些关键点必须进入的存储地址。


这些FLASH 和MSM 的关键点都存储在第一个FLASH闪存器的扇区的第一个堆栈的最后32字节里。所以要注意不要去编写它,记住擦除这个扇区的时候把所有的关键点设置成0xFFFFFFFF。FLASH 编写的时候这些关键点都会被报道。


每次PEEDI 首先设法用违法的keys(0xFFFFFFFF)打开 FLASH,如果失败了,它用这些关键点指向目标程序。这种方法你可以不需要改变每个参数来擦除和编写FLASH闪存器。


如果MSM keys是0x00000000都被写进了FLASH,那么ALLOW_ZERO_KEY TMS470 FLASH部分的参数是用来保护装置不要受到不必要参数的封锁,如果参数设置成 NO- 这个MSM的0x000000000值在发现的情况下将会被禁止,这个过程立刻会终止并且发出一个错误信息。


如果编写进MSM和FLASH的关键点都是修正过的,在PEEDI的报告之后你没有发觉,你可以通过打开HEX编译过文件覆盖掉他们。记住TMS 装置用big-endian寻址。


更多资料,请联系我们:


广州虹科电子 http://www.hkaco.com 


吴工 020-38743030  wj@hkaco.com  QQ:534807413

文章评论2条评论)

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用户377235 2015-10-8 14:47

1074337891@qq.com 万分感谢

用户377235 2015-10-8 14:46

可不可以给一份tms470 片内flash读写的例程

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