原创 2015-01-29-16 检波二极管参数 及 芯片讲解
锗检波二极管的特性参数
①正向电压降VF
检波二极管通过额定正向电流时，在极间产生的电压降；
②额定正向电流lF
在规定的使用条件下，允许通过的最大工作电流；
③最高反向工作电压VR
它等于半导体二极管击穿电压的2/3 ；
④击穿电压VB
二极管在工作中能承受的最大反向电压，它也是使二极管不致反向击穿的电压极限值；
⑤零点结电容C
二极管在零偏置下的总电容量；
⑥检波效率η
在二极管输入端加上10.7MHz 正弦电压时，在输出端上的直流电压与输入端的峰值电压之比。
附录：检波芯片IN60芯片的中文详细资料 （封装形式：D0-35）
- 上一篇： 晶体三极管的分类
- 下一篇： 2015-01-31-18 开关二极管参数 及芯片解析
EE直播间
更多
-
第三代功率半导体器件测试解决方案 直播时间： 03月06日 10:00
关闭
站长推荐
/1 
/1
文章评论（0条评论）
登录后参与讨论