原创 Leiditech推出0201超小型封装ESD保护器件

ESD被认为是电子产品质量最大的潜在杀手，影响产品的可靠性，静电防护也就成为电子产品质量控制的一项重要内容。最有效的ESD保护方法是设备的连接器或端口处放置外部保护元件。

Leiditech推出 0201尺寸的硅基ESD器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%，能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性,上海雷卯LEIDITECH推出低容值（10pF, 0.5pf）的ESD保护器件，实际大小仅为0.6mm x 0.3mm x 0.3mm，为设计师们在空间受限的应用中提供了灵活性。双向保护消除了在PCB板上安装时的方向限制，而且也不会损失负电平信号。

0201封装产品型号LC0521C的重要参数如下：

1. 低漏电流1UA；
2. 低容值10pf；
3. 低钳位电压VC为12V；
4. DFN的封装可以有效的降低抛料率，降低成本，增加贴片效率；
5. 0201的超小封装，其ESD抗冲击性能达到了IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (空气)和±25kV(接触)的标准。主要参数如表1所示：

表1：特性参数表

为方便理解参数，图1为单向ESD保护管的特性曲线图。

图1：单向ESD保护管特性曲线图

图2：ESD放电波形图

电性参数解析如下：

1、击穿电压VBR(Reverse Breakdown Voltage): 在指定测试电流下ESD保护管发生雪崩击穿时的电压，它是ESD保护管最小的击穿电压。为了满足IEC61000-4-2标准，ESD保护管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的冲击，有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。

上海雷卯电子Leiditech的LC0521C，达到了IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (空气)和±25kV(接触)的标准。

2、反向关断电压VRWM(Reverse Peak Working Voltage)和反向漏电流ID(Reverse LeakageCurrent)：指 ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。LC0521CL的VRWM值为5V，可以保护工作电压为5V的芯片。其反向漏电流小于1μA，对产品的功耗几乎没有影响。

3、箝位电压VC(Clamping Voltage)和最大峰值脉冲电流IPP(Maximum Reverse Peak Pulse Current)。当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过ESD保护管时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。

图3：ESD钳位电压波形图

4、额定脉冲功率Pppm（Peak Power Dissipation），指ESD保护管在指定结温下所能承受的最大峰值脉冲功率。

5、电容量C（Capacitance）。电容量C是由保护管的雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz 频率下测得的。电容值太大将使信号衰减。高频回路一般选择电容应尽量小，当频率>100MHz时，C必须<10pF。不同速率传输信号的容值选取请参照下图。

图4：ESD保护器件容值选取参考图

6、封装。LC0521C的封装为业界最小封装0201，是智能手机和平板电脑最理想的保护方案选择。图5为实物图和封装图。

图5：0201实物图和封装图